EP 0000327 A1 19790124 - Method for making self-aligned integrated semiconductor devices.
Title (en)
Method for making self-aligned integrated semiconductor devices.
Title (de)
Verfahren zum Herstellen von integrierten Halbleiteranordnungen durch Anwendung einer auf Selbstausrichtung basierenden Maskierungstechnik.
Title (fr)
Procédé de fabrication de dispositifs semiconducteurs intégrés auto-alignés.
Publication
Application
Priority
US 81480177 A 19770712
Abstract (en)
ICs are mfrd. by (a) forming superimposed first, second and third masking layers, selectively etchable w.r.t. each other, on a semiconductor substrate, (b) etching a set of openings in the first layer only (c) etching a first subset of openings within the set, through at least the second layer, using the first layer as a mask, while protecting remaining openings, (d) forming first regions in the substrate through the first subset of openings, and (e) similarly forming second and third regions using second and third subsets of openings. Regions are self-aligned and formed without undercutting, allowing reduced size of devices and reduced distance between them.
Abstract (de)
Bei einem Verfahren zum automatisch selbstausrichtenden Herstellen von Zonen in Halbleiterkörpern werden auf den Halbleiterkörper zunächst drei unabhängig voneinander ätzbare Maskierungsschichten (12, 14, 16) aufgebracht. Mittels einer weiteren auf die oberste Maskierungsschicht aufgebrachten Ätzmaske (19) wird ein Muster in die oberste Maskierungsschicht geätzt, das sämtliche in den Halbleiterkörper einzubringenden Zonen hinsichtlich ihrer Ausdehnung und ihres gegenseitigen Abstandes definiert. Durch aufeinanderfolgendes selektives Abdecken des Musters in der obersten Maskierungsschicht mittels einer groben Sperrmaske (28, 32, 34) und Ätzen zumindest der mittleren Maskierungsschicht im Bereich der nicht abgedeckten Fenster der oberen Maskierungsschicht erhält man automatisch ausgerichtete Masken für in aufeinanderfolgenden Prozessen herzustellende Zonen.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 21/76 (2006.01); H01L 21/306 (2006.01); H01L 21/331 (2006.01); H01L 21/8238 (2006.01)
CPC (source: EP US)
H01L 21/8238 (2013.01 - EP US); H01L 29/66272 (2013.01 - EP US); Y10S 438/942 (2013.01 - EP)
Citation (search report)
- US 3771218 A 19731113 - LANGDON J
- FR 2192382 A1 19740208 - INTERSIL INC [US]
- [A] FR 2160667 A1 19730629 - ITT
- [A] FR 2280201 A1 19760220 - SIEMENS AG [DE]
- [P] FR 2358748 A1 19780210 - RADIOTECHNIQUE COMPELEC [FR]
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB
DOCDB simple family (publication)
EP 0000327 A1 19790124; EP 0000327 B1 19820113; DE 2861528 D1 19820225; JP S5419668 A 19790214; US 4135954 A 19790123
DOCDB simple family (application)
EP 78100092 A 19780606; DE 2861528 T 19780606; JP 7661978 A 19780626; US 81480177 A 19770712