EP 0022474 A1 19810121 - Method for forming low-resistive diffusion regions in the silicon-gate-technology.
Title (en)
Method for forming low-resistive diffusion regions in the silicon-gate-technology.
Title (de)
Verfahren zum Herstellen von niederohmigen, diffundierten Bereichen bei der Silizium-Gate-Technologie.
Title (fr)
Procédé pour former des régions diffuses à faible résistance ohmique dans la technologie des portes en silicium.
Publication
Application
Priority
DE 2926874 A 19790703
Abstract (en)
[origin: US4356622A] Low-resistance diffused regions useful as current-supply paths in IC MOS semiconductor circuits in silicon-gate technology are produced by forming a metal silicide on a doped polysilicon layer positioned on a substrate, applying a SiO2 layer over the silicide layer, structuring the resultant SiO2-silicide-polysilicon triple layer in such a manner that areas of the substrate where the low resistance diffused regions are desired remain covered, thereafter executing gate oxidation and completing fabrication of the desired circuit.
Abstract (de)
Die Anmeldung betrifft ein Verfahren zum Herstellen von niederohmigen, diffundierten Bereichen bei der Silizium-Gate-Technologie. Dabei wird eine auf der dotierten Polysiliziumschicht (2) vor der Gateoxidation erzeugte Metallsilizidschicht (3) mit einer zusätzlich aufgebrachten SiO2-Schicht (4) so strukturiert, daß die diffundierten Bereiche (8) von dieser Dreifachschicht bedeckt bleiben. Das Verfahren dient der Herstellung von niederohmigen, als stromzuführende Bahnen in integrierten MOS-Schaltungen zu verwendenden diffundierten Bereichen.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 21/033 (2006.01); H01L 21/28 (2006.01); H01L 21/321 (2006.01); H01L 21/768 (2006.01); H01L 21/822 (2006.01); H01L 21/8234 (2006.01); H01L 27/04 (2006.01); H01L 27/10 (2006.01); H01L 29/78 (2006.01)
CPC (source: EP US)
H01L 21/033 (2013.01 - EP US); H01L 21/321 (2013.01 - EP US); H01L 21/76889 (2013.01 - EP US); H01L 21/8234 (2013.01 - EP US); Y10S 148/141 (2013.01 - EP US); Y10S 438/934 (2013.01 - EP US)
Citation (search report)
- US 3667008 A 19720530 - KATNACK FREDRIC LEROY
- US 3460007 A 19690805 - SCOTT JOSEPH H JR
- DE 2815605 A1 19791018 - SIEMENS AG
- US 4163246 A 19790731 - AOMURA KUNIO [JP], et al
- EP 0000317 A1 19790110 - IBM [US]
- THE BELL SYSTEM TECHNICAL JOURNAL, Band 47, 1968 New York M.P. LEPSELTER et al. "Silicon Schottky Barrier Diode with Near-Ideal I-V Characteristics" * Seiten 195 bis 208 *
- PROCEEDINGS ELECTROCHEMICAL SOC. SPRING MEETING, Mai 1978, Abstract Nr. 274 C.E. WEITZEL et al. "PtSi/Polysilicon Gate CMOS/SOS Transistors" * Seiten 683 bis 685 *
Designated contracting state (EPC)
FR GB
DOCDB simple family (publication)
EP 0022474 A1 19810121; EP 0022474 B1 19830112; DE 2926874 A1 19810122; DE 2926874 C2 19880707; JP S5613757 A 19810210; US 4356622 A 19821102
DOCDB simple family (application)
EP 80103196 A 19800609; DE 2926874 A 19790703; JP 9050480 A 19800702; US 15749580 A 19800609