EP 0022857 A1 19810128 - REDUCTION OF SURFACE RECOMBINATION CURRENT IN GaAs DEVICES.
Title (en)
REDUCTION OF SURFACE RECOMBINATION CURRENT IN GaAs DEVICES.
Title (de)
REDUKTION DES OBERFLÄCHENREKOMBINATIONSSTROMES IN GaAs-VORRICHTUNGEN.
Title (fr)
REDUCTION DU COURANT DE RECOMBINAISON EN SURFACE DANS DES DISPOSITIFS GaAs.
Publication
Application
Priority
US 779079 A 19790130
Abstract (en)
[origin: WO8001624A1] Surface recombination current in GaAs devices is reduced by means of a semi-insulating oxygen, iron or chromium doped monocrystalline layer of AlGaAs grown by MBE. The AlGaAs layer is grown on a GaAs body (10) and is then masked. Application, for example by diffusion or ion implantation of suitable impurities through a window in the mask (18) converts the exposed portions (16.2) of the AlGaAs layer (16) to low resistivity and modifies the conductivity of the underlying zone of the GaAs body (10). The peripheral portion (16.1) of the AlGaAs layer, however, remain semi-insulating and are effective to reduce the surface recombination velocity - diffusion length product by more than an order of magnitude.
Abstract (fr)
On reduit le courant de recombinaison en surface dans des dispositifs GaAs au moyen d'une couche semi-isolante, monocristalline dopee a l'oxygene, le fer ou le rayon moleculaire). La couche AlGaAs est developpee sur un corps GaAs (10) puis est masquee. Application par exemple, par diffusion ou implantation d'ions d'impuretes appropriees au travers d'une fenetre dans le masque (18) convertit les partes exposees de la couche d'AlGaAs (16) a une faible resistivite et modifie la conductivite de la zone sous-jacente du corps GaAs (10). Les parties peripheriques (16.1) de la couche AlGaAs, cependant, restent semi-isolantes et sont efficaces pour reduire le produit vitesse de recombinaison superficielle - longueur de diffusion de plus d'un ordre de grandeur.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 21/033 (2006.01); H01L 21/203 (2006.01); H01L 21/314 (2006.01); H01L 29/06 (2006.01); H01L 31/00 (2006.01); H01L 33/14 (2010.01); H01L 33/00 (2010.01); H01L 33/30 (2010.01); H01L 33/40 (2010.01)
CPC (source: EP US)
H01L 21/02107 (2013.01 - EP); H01L 21/02546 (2013.01 - US); H01L 21/0332 (2013.01 - EP US); H01L 21/314 (2013.01 - US); H01L 29/0638 (2013.01 - EP US)
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB NL
DOCDB simple family (publication)
WO 8001624 A1 19800807; EP 0022857 A1 19810128; EP 0022857 A4 19820111; IT 1150082 B 19861210; IT 8019551 A0 19800129; JP S55501080 A 19801204; US 4231050 A 19801028
DOCDB simple family (application)
US 8000048 W 19800121; EP 80900370 A 19800812; IT 1955180 A 19800129; JP 50049580 A 19800121; US 779079 A 19790130