EP 0031260 A2 19810701 - Process for aligning photogravures with respect to region-isolating walls in integrated circuits.
Title (en)
Process for aligning photogravures with respect to region-isolating walls in integrated circuits.
Title (de)
Ausrichten von Photomasken in Hinblick auf Isolationsmuster in integrierte Schaltungen.
Title (fr)
Procédé d'alignement de photogravures par rapport aux murs d'isolement de caisson dans des circuits intégrés.
Publication
Application
Priority
FR 7931483 A 19791221
Abstract (en)
[origin: US4369561A] A process in which P+ impurities are implanted in a P silicon substrate at the periphery of N+ buried layers, prior to growing an N epitaxial layer. Then an upward diffusion of the P+ impurities is caused up to the surface of the wafer in order to form insulation walls insulating separate N coffers. An anodization followed with an oxidation transforms those P walls into silica walls and makes their upper surface visible.
Abstract (fr)
La présente invention concerne un procédé de fabrication de caisson dans des circuits intégrés. Selon ce procédé, des zones de type P<+> sont implantées dans un substrat 1 de silicium de type P à la périphérie de couches enterrées de type N<+>, avant de procéder à une croissance épitaxiale 4. Après cela, on procède à une exodiffusion pour former des murs d'isolement 2 de type P<+>. Un traitement anodisant puis oxydant peut transformer ces murs en murs de silice. Application à la miniaturisation des circuits intégrés.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 21/306 (2006.01); H01L 21/761 (2006.01); H01L 21/762 (2006.01)
CPC (source: EP US)
H01L 21/306 (2013.01 - EP US); H01L 21/761 (2013.01 - EP US); H01L 21/76245 (2013.01 - EP US); Y10S 148/085 (2013.01 - EP US); Y10S 148/117 (2013.01 - EP US); Y10S 148/151 (2013.01 - EP US)
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB IT
DOCDB simple family (publication)
EP 0031260 A2 19810701; EP 0031260 A3 19810722; EP 0031260 B1 19831123; DE 3065715 D1 19831229; FR 2472268 A1 19810626; FR 2472268 B1 19831014; US 4369561 A 19830125
DOCDB simple family (application)
EP 80401616 A 19801112; DE 3065715 T 19801112; FR 7931483 A 19791221; US 21297480 A 19801204