EP 0036494 A2 19810930 - Integrated MOS semiconductor circuit.
Title (en)
Integrated MOS semiconductor circuit.
Title (de)
Integrierte MOS-Halbleiterschaltung.
Title (fr)
Circuit semiconducteur intégré du type MOS.
Publication
Application
Priority
DE 3009303 A 19800311
Abstract (en)
[origin: US4454431A] A semiconductor circuit assembly having capacitively controlled field effect transistors, includes a semiconductor chip containing a digital circuit part for supplying timing pulses for controlling operation of the digital circuit part, and terminal having at least one conductive connection to the digital circuit part and the timing pulse generator for supplying potentials thereto from a direct current source. An oscillator is provided and a substrate-bias generator connected to the oscillator and the timing pulse generator. The substrate-bias generator is controlled by the oscillator for producing a bias voltage able to reach a given full value and for activating the timing pulse generator only after the substrate bias voltage has reached its full value.
Abstract (de)
Bei monolithisch integrierten digitalen Halbleiterschaltungen auf MOS-Basis mit einem Taktgeber und zwei durch je ein extern zugeführtes Betriebspotential beaufschlagten Versorgungsanschlüssen ist es wünschenswert, wenn der Taktgeber erst nach dem Aufbau der Substratvorspannung aktiviert wird. Die Erfindung befaßt sich mit der Aufgabe, eine hierzu geeignete Schaltung anzugeben. Die Erfindung betrifft eine integrierte MOS-Schaltung der genannten Art, bei der durch je ein von einer Gleichspannungsquelle geliefertes Betriebspotential beaufschlagte Versorgungsanschlüsse mit wenigstens je einer leitenden Verbindung an die eigentliche digitale Halbleiterschaltung (ES) und an den Taktgeber (TG) gelegt sind, wobei erfindungsgemäß ein Oszillator (O) zur Steuerung eines. Substratvorspannungsgenerators (SE) vorgesehen ist. Dieser Substratvorspannungsgenerator hat neben dem Aufbau der Substratvorspannung die Aufgabe, den Betrieb des Taktgebers (TG) so zu steuern, daß die Aktivierung des Taktgebers (TG) erst nach Vollendung des Aufbaus der Substratvorspannung (VBB) erfolgt.
IPC 1-7
IPC 8 full level
G11C 11/407 (2006.01); G05F 3/20 (2006.01); G11C 11/34 (2006.01); H01L 21/822 (2006.01); H01L 27/04 (2006.01); H01L 27/10 (2006.01)
CPC (source: EP US)
G05F 3/205 (2013.01 - EP US)
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB IT
DOCDB simple family (publication)
EP 0036494 A2 19810930; EP 0036494 A3 19811125; EP 0036494 B1 19840725; DE 3009303 A1 19810924; DE 3164950 D1 19840830; JP H0213821 B2 19900405; JP S56142663 A 19811107; US 4454431 A 19840612
DOCDB simple family (application)
EP 81101324 A 19810224; DE 3009303 A 19800311; DE 3164950 T 19810224; JP 3372081 A 19810309; US 24019781 A 19810303