EP 0056388 A1 19820728 - A METHOD AND AN APPARATUS FOR THERMAL DECOMPOSITION OF STABLE COMPOUNDS.
Title (en)
A METHOD AND AN APPARATUS FOR THERMAL DECOMPOSITION OF STABLE COMPOUNDS.
Title (de)
VERFAHREN UND VORRICHTUNG FÜR DIE THERMISCHE ZERSETZUNG STABILER VERBINDUNGEN.
Title (fr)
PROCEDE ET APPAREIL DE DECOMPOSITION THERMIQUE DE COMPOSES STABLES.
Publication
Application
Priority
- SE 8005400 A 19800725
- SE 8101701 A 19810317
Abstract (en)
[origin: WO8200509A1] A method and an apparatus for thermal decomposition of stable substances, preferably chemical hazardeous waste. The intention is to achieve so high a decomposition temperature that the quantity of remaining chemical traces after the decomposition has been reduced to an absolute minimum. This is achieved by giving the waste the necessary decomposition temperature in a plasma generated in a plasma burner (12). Part of or the whole quantity of the waste is brought into the carrier gas of the plasma. Alternatively part of or the whole quantity of the waste can be supplied to the plasma and mixed with its high temperature carrier gas. The carrier gas of the plasma can be given a temperature of 3000-4000`C or under certain conditions still higher.
Abstract (fr)
Procede et appareil de decomposition thermique de substances stables, de preference des dechets chimiques dangereux. Le but est d'obtenir une temperature de decomposition si elevee que la quantite de restes chimiques a l'etat de traces apres la decomposition soient reduites a un minimum absolu. Ceci est obtenu en chauffant les dechets a la temperature de decomposition necessaire dans un plasma produit dans un bruleur a plasma (12). Une partie ou la totalite de la quantite du materiau de rebut est amenee dans le gaz porteur du plasma. Une alternative consiste a amener une partie ou la totalite de la quantite du materiau de rebut au plasma et a la melanger avec son gaz porteur a haute temperature. Le gaz porteur du plasma peut avoir une temperature de 3000- 4000 C, ou, dans certaines conditions, encore davantage.
IPC 1-7
IPC 8 full level
C10B 19/00 (2006.01); C10B 53/00 (2006.01); F23G 5/08 (2006.01); F23G 7/00 (2006.01); F27B 1/02 (2006.01)
CPC (source: EP)
C10B 19/00 (2013.01); C10B 53/00 (2013.01); F23G 5/085 (2013.01); F23G 7/00 (2013.01); F27B 1/025 (2013.01); F23G 2204/201 (2013.01)
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB NL
DOCDB simple family (publication)
DOCDB simple family (application)
SE 8100214 W 19810710; EP 81902016 A 19810710