EP 0064514 A1 19821117 - PROCESS AND APPARATUS FOR GROWING MERCURY CADMIUM TELLURIDE LAYER BY LIQUID PHASE EPITAXY FROM MERCURY-RICH MELT.
Title (en)
PROCESS AND APPARATUS FOR GROWING MERCURY CADMIUM TELLURIDE LAYER BY LIQUID PHASE EPITAXY FROM MERCURY-RICH MELT.
Title (de)
VERFAHREN UND VORRICHTUNG ZUM ZÜCHTEN EINER QUECKSILBERCADMIUMTELLURIDSCHICHT DURCH FLÜSSIGPHASENEPITAXIE AUS EINER QUECKSILBERREICHEN SCHMELZE.
Title (fr)
PROCEDE ET APPAREIL DE FORMATION D'UNE COUCHE DE TELLURURE DE CADMIUM DE MERCURE PAR EPITAXIE EN PHASE LIQUIDE A PARTIR D'UN MATERIAU EN FUSION RICHE EN MERCURE.
Publication
Application
Priority
US 20676080 A 19801114
Abstract (en)
[origin: WO8201671A1] A process and apparatus for growing a layer of mercury cadmium telluride (HgCdTe) on a substrate is used in the fabrication of infrared detectors. The growth of a layer of HgCdTe by liquid phase epitaxy from a melt comprising mercury, cadmium, and tellurium requires a relatively high temperature which causes the mercury to constanily vaporize from the melt, thereby constantly changing the composition of the melt and the HgCdTe layer grown from the melt. This problem is overcome by providing a mercury-rich melt and also by condensing mercury vapors escaping from the melt and returning the mercury to the melt. First, a crystal growth melt (36) comprising mercury, cadmium and tellurium is provided in a vertically-oriented crystal growth chamber (14). The melt (36) comprises 33.33 mole percent or more of mercury and is maintained at a predetermined temperature above the liquidus temperature thereof. A condensing means (such as 15) is provided atop the crystal growth chamber (14) in order to condense vapors of mercury which escape from the melt (36) and to return this condensed mercury to the melt, to thereby maintain the melt at a constant composition. The substrate (not shown) in the substrate holder (22) is contacted with this crystal growth melt (36) for a predetermined period of time while cooling the melt below its liquidus temperature at a predetermined rate sufficient to cause the crystal growth of the layer of HgCdTe on the substrate to a desired thickness. The layer of HgCdTe so formed is of uniform composition and of high purity and is formed at a relatively low growth temperature and relatively low system pressure.
Abstract (fr)
Procede et appareil de formation d'une couche de tellurure de cadmium de mercure (HgCdTE) sur un substrat dans la fabrication de detecteurs a infrarouges. La formation d'une couche de HgCdTe par epitaxie en phase liquide a partir d'un materiau en fusion comprenant du mercure, du cadmium, et du tellure demande une temperature relativement elevee ce qui provoque la vaporisation constante du mercure du materiau en fusion, changeant donc constamment la composition du materiau en fusion et la couche HgCdTe formee a partir du materiau en fusion Ce probleme est resolu en produisant un materiau en fusion riche en mercure et egalement en condensant les vapeurs de mercure s'echappant du materiau en fusion et en renvoyant le mercure au materiau en fusion. En premier lieu, un materiau en fusion de croissance de cristaux (36) comprenant du mercure, du cadmium, et du tellure est introduit dans une chambre de croissance de cristaux orientee verticalement (14) Le materiau en fusion (36) comprend 33, 33 moles pourcent ou plus de mercure et est maintenu a une temperature predeterminee au-dessus de sa temperature a l'etat liquide. Des moyens de condensation (tels que 15) sont prevus au-dessus de la chambre de croissance de cristaux (14) de maniere a condenser les vapeurs de mercure qui s'echappent du materiau en fusion (36) et pour renvoyer ce mercure condense au materiau en fusion, de maniere a maintenir le materiau en fusion a une composition constante. Le substrat (non illustre) dans le porte-substrat (22) est mis en contact avec ce materiau de fusion de croissance de cristaux (36) pendant une periode de temps predeterminee tout en refroidissant le materiau de fusion en-dessous de sa temperature a l'etat liquide a une vitesse predeterminee suffisante pour provoquer la croissance des cristaux de la couche HgCdTe sur le substrat avec une epaisseur desiree. La couche HgCdTe ainsi formee peut avoir une composition uniforme et une grande purete, et elle se forme a une temperature de croissance relativement basse ainsi qu'a une
IPC 1-7
IPC 8 full level
C30B 19/04 (2006.01)
CPC (source: EP US)
C30B 19/04 (2013.01 - EP US); C30B 29/48 (2013.01 - EP US); H01L 31/02725 (2013.01 - EP US); Y10S 117/907 (2013.01 - EP US)
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB
DOCDB simple family (publication)
WO 8201671 A1 19820527; DE 3176733 D1 19880609; EP 0064514 A1 19821117; EP 0064514 A4 19851121; EP 0064514 B1 19880504; IL 64058 A0 19820131; IL 64058 A 19850228; IT 1142989 B 19861015; IT 8149696 A0 19811112; US 4401487 A 19830830
DOCDB simple family (application)
US 8101427 W 19811021; DE 3176733 T 19811021; EP 81902995 A 19811021; IL 6405881 A 19811015; IT 4969681 A 19811112; US 20676080 A 19801114