EP 0081494 A1 19830622 - MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT.
Title (en)
MONOLITHIC INTEGRATED CIRCUIT.
Title (de)
MONOLITHISCH INTEGRIERTE SCHALTUNGSANORDNUNG.
Title (fr)
CIRCUIT INTEGRE MONOLITHIQUE.
Publication
Application
Priority
DE 3122855 A 19810609
Abstract (en)
[origin: WO8204499A1] In a semiconductor chip (12), there is arranged an integrated circuit with an npn transistor (10) and one diode (11). The diode (11) is connected to the collector of the transistor (10) through its cathode. The collector area of the transistor (10) is formed by a layer with an n?- type conductivity (14). The base area of the transistor (10) is formed by a first p type conductivity area (16) and diffused in the collector area (14) while the transmitter area of the transistor (10) is formed by an n?+ type conductivity area (17) diffused in the base area (16). The cathode of the diode (11) is formed by the n?- collector area (14) of the transistor (10) while the anode of the diode (11) is formed by a second p type conductivity area (18) diffused in the collector area. Further, there is diffused, in the collector area (14) around the second area (18) having a p type conductivity, a third p type conductivity area (19) which forms a guard-ring. This area (19) is connected with the collector area (14) of the transistor (10) by a metallization (20).
Abstract (fr)
Dans une plaquette semiconductrice (12) on amenage un circuit integre avec un transistor npn (10) et une diode (11). La diode (11) est connectee au collecteur du transistor (10) par sa cathode. La zone collectrice du transistor (10) est formee par une couche a conductivite de type n- (14). La zone de base du transistor (10) est formee par une premiere zone a conductivite de type p (16) et diffusee dans la zone du collecteur (14) tandis que la zone d'emetteur du transistor (10) est formee par une zone (17) de type de conductivite n+ diffusee dans la zone de base (16). La cathode de la diode (11) est formee de la zone n- collectrice (14) du transistor (10) tandis que l'anode de la diode (11) est formee par une deuxieme zone de type de conductivite p (18) diffusee dans la zone collectrice. En outre, on a diffuse dans la zone collectrice (14), autour de la deuxieme zone (18) du type de conductivite p une troisieme zone de type de conductivite p (19) qui forme un anneau de garde. Cette zone (19) est connectee avec la zone collectrice (14) du transistor (10) par une metallisation (20).
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 27/07 (2006.01)
CPC (source: EP)
H01L 27/0761 (2013.01)
Designated contracting state (EPC)
AT BE CH DE FR GB LI NL SE
DOCDB simple family (publication)
WO 8204499 A1 19821223; DE 3122855 A1 19830105; EP 0081494 A1 19830622
DOCDB simple family (application)
DE 8200038 W 19820626; DE 3122855 A 19810609; EP 82900626 A 19820226