EP 0081788 A1 19830622 - Non-additive fast depositing galvanic palladium bath.
Title (en)
Non-additive fast depositing galvanic palladium bath.
Title (de)
Zusatzfreies, schnellabscheidendes galvanisches Palladiumbad.
Title (fr)
Bain de dépÔt électrolytique rapide sans additifs.
Publication
Application
Priority
DE 3148788 A 19811209
Abstract (en)
[origin: US4451336A] An additive-free, fast-precipitating electrolyte bath for precipitating lustrous, crack-free palladium layers on workpieces is formulated, by successively adding to distilled water heated up to about 90 DEG C., phosphoric acid, sufficient ammonia to neutralize the phosphoric acid and palladium, in the form of palladium chloride. After dissolution of the palladium salt, the operating pH value is adjusted by additions of ammonia or phosphoric acid as required and the volume of the bath can be increased as desired by additions of further distilled water. The bath can be filtered prior to use.
Abstract (de)
Ein zusatzfreies, schnellabscheidendes galvanisches bad zum Abscheiden von glänzenden, rißfreien Palladium schichten wird durch folgenden Ansatz erreicht: In bis auf 90°C aufgeheiztes, destillertes Wasser werden nacheinander zugegeben: Phosphorsäure, Ammoniak bis zur Neutralisation der Phosphorsäure und Palladium aus Palladiumchlorid, wobei der Gebrauchs-pH-Wert mittels Ammoniak oder Phosphorsäure eingestellt und das bad bis zum Endvolumen mit destilliertem Wasser ergänzt und vor dem Gebrauch filtriert wird.
IPC 1-7
IPC 8 full level
CPC (source: EP US)
C25D 3/50 (2013.01 - EP US)
Citation (search report)
- [Y] US 3972787 A 19760803 - NOBEL FRED I, et al
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- [A] GB 2028870 A 19800312 - EFFLUENT TREATMENT LTD
- [APD] EP 0059787 A1 19820915 - SIEMENS AG [DE]
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Designated contracting state (EPC)
BE CH DE FR GB LI NL
DOCDB simple family (publication)
EP 0081788 A1 19830622; EP 0081788 B1 19870916; DE 3148788 A1 19830721; DE 3148788 C2 19860821; DE 3277311 D1 19871022; JP H0341556 B2 19910624; JP S58107492 A 19830627; US 4451336 A 19840529
DOCDB simple family (application)
EP 82111270 A 19821206; DE 3148788 A 19811209; DE 3277311 T 19821206; JP 21455282 A 19821206; US 44301182 A 19821119