EP 0115791 A1 19840815 - Process and apparatus for regenerating a copper-containing etching solution.
Title (en)
Process and apparatus for regenerating a copper-containing etching solution.
Title (de)
Verfahren und Vorrichtung zur Regenerierung einer kupferhaltigen Ätzlösung.
Title (fr)
Procédé et appareil pour la régénération d'une solution de décapage contenant du cuivre.
Publication
Application
Priority
DE 3303594 A 19830203
Abstract (en)
[origin: US4508599A] A method and apparatus for the regeneration of a copper-containing etching solution which contains copper (II) chloride as well as alkali chloride as a sequestering agent, wherein the cathode is operated at a current density of 40-400 A/dm2 and the anode is operated at a current density of 1-100 A/dm2. Copper forms at the cathode as a powdered slurry while chlorine forms at the anode which oxidizes copper (I) chloride to copper (II) chloride. With this method one can process etching solutions which contain not only copper but also base metals including zinc from etching brass or tombac, and obtain a powdered mixture of copper and base metal. The apparatus features a rotating disk-shaped cathode from whose outer face the metal powder is stripped by a scraper.
Abstract (de)
Es werden ein Verfahren und eine Vorrichtung angegeben, die zur Regenerierung einer kupferhaltigen Ätzlösung, die Kupfer(II)-Chlorid sowie Alkalichlorid als Komplexbildner enthält, dient. An einer Kathode bildet sich bei einer Stromdichte von 40-400 A/dm² Kupfer in Pulverform, während sich an einer Anode bei einer Stromdichte von 1-100 A/dm² Chlor bildet, das Kupfer(I)-Chlorid zu Kupfer (II)-Chlorid oxidiert. Nach diesem Verfahren können auch Ätzlösungen behandelt werden, die neben Kupfer noch Zinkdurch Ätzen von Messing oder Tombak enthalten, wobei ein Pulvergemisch aus Kupfer und Zink entsteht. - Die Vorrichtung weist eine rotierende, scheibenförmige Kathode auf, von deren Stirnfläche das Metallpulver durch eine Abstreifvorrichtung entfernt wird.
IPC 1-7
IPC 8 full level
C23F 1/00 (2006.01); C23F 1/46 (2006.01); C25B 9/00 (2006.01); C25C 5/02 (2006.01); H05K 3/06 (2006.01)
CPC (source: EP US)
Citation (search report)
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- [A] CHEMICAL ABSTRACTS, Band 98, Nr. 2, 10. Januar 1983, Seiten 160,161, Nr. 7189a, Columbus, Ohio, USA
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB IT
DOCDB simple family (publication)
EP 0115791 A1 19840815; EP 0115791 B1 19880601; DE 3303594 A1 19840809; DE 3471692 D1 19880707; JP H0472910 B2 19921119; JP S59143072 A 19840816; US 4508599 A 19850402
DOCDB simple family (application)
EP 84100326 A 19840113; DE 3303594 A 19830203; DE 3471692 T 19840113; JP 1619984 A 19840202; US 57504384 A 19840130