EP 0141075 A1 19850515 - Power transistor.
Title (en)
Power transistor.
Title (de)
Leistungstransistor.
Title (fr)
Transistor de puissance.
Publication
Application
Priority
DE 3329241 A 19830812
Abstract (en)
[origin: US4626886A] The invention relates to a power transistor with a semiconductor body. When shutting off a power transistor, local fusing of the semiconductor body may occur, if a characteristic power loss is exceeded for a certain period of time (second breakdown). This can be avoided, if the transistor includes a multiplicity of small partial transistors with very narrow emitter zones which are mutually paralleled via a ballast resistance each.
Abstract (de)
Beim Abschalten eines Leistungstransistors kann es zum lokalen Aufschmelzen des Halbleiterkörpers kommen, wenn eine charakteristische Verlustleistung für eine bestimmte Zeitdauer überschritten wird (second breakdownl. Dies läßt sich vermeiden, wenn der Transistor aus einer Vielzahl von kleinsten Teiltransistoren mit sehr schmalen Emitterzonen (4) besteht, die über je einen Ballastwiderstand (5) einander parallel geschaltet sind.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 21/331 (2006.01); H01L 29/08 (2006.01); H01L 29/72 (2006.01); H01L 29/73 (2006.01); H01L 29/732 (2006.01)
CPC (source: EP US)
H01L 29/0813 (2013.01 - EP US); H01L 29/7304 (2013.01 - EP US)
Citation (search report)
- [X] US 3868720 A 19750225 - NEW THORNDIKE C, et al
- [A] US 4151542 A 19790424 - IWASAWA SHIGEO [JP], et al
- [A] US 3462658 A 19690819 - WORCHEL GERALD S, et al
- [A] FR 1527430 A 19680531 - ITT
- [A] FR 2011431 A1 19700227 - PHILIPS NV
Designated contracting state (EPC)
CH DE FR GB IT LI
DOCDB simple family (publication)
DE 3329241 A1 19850221; DE 3468593 D1 19880211; EP 0141075 A1 19850515; EP 0141075 B1 19880107; JP S6059776 A 19850406; US 4626886 A 19861202
DOCDB simple family (application)
DE 3329241 A 19830812; DE 3468593 T 19840807; EP 84109364 A 19840807; JP 15647284 A 19840726; US 63128884 A 19840716