Global Patent Index - EP 0142678 A2

EP 0142678 A2 19850529 - Semiconductor rectifier.

Title (en)

Semiconductor rectifier.

Title (de)

Halbleiterventil.

Title (fr)

Redresseur semi-conducteur.

Publication

EP 0142678 A2 19850529 (DE)

Application

EP 84111531 A 19840927

Priority

SE 8305503 A 19831006

Abstract (en)

[origin: US4578745A] A high voltage semiconductor valve has a plurality of electrically series-connected semiconductor elements, for example thyristors or diodes. These are designed for pressure contact connection and for double-sided cooling and are arranged alternately with liquid cooling bodies in a stack. At least some of the resistors included in the voltage divider of the valve are arranged with their resistive portions located in a passage in the cooling body between the contact surfaces for the two adjacent semiconductor elements.

Abstract (de)

Halbeiterventil für Hochspannung mit mehreren elektrisch in Reihe geschalteten Halbeiterelementen (1-6) und mehreren flüssigkeitsdurchflossenen kühlkörpern, welche mit den Halbleiterelemente einen Stapel bilden, in welchem jedes Halbleiterelement zwischen zwei Kühlkörpern liegt, mit Druckvorrichtungen (14, 15, 16, 17, 18, 19), die eine in Längsrichtung des Stapels wirkende Druckkraft erzeugen, und mit je einem zu jedem Halbleiterelement parallelgeschalteten Spannungsteilerabschnitt, welcher mindestens einen Widerstand (21-24) enthält. Gemäß der Erfindung ist mindestens ein Widerstand (z.B. 21) des Spannungsteilerabschnittes gekapselt ausgeführt ist und hat eine im wesentlichen längliche zylindrische Form. Dieser Widerstand ist so angeordnet, daß er zumindest mit seinem Hauptteil innerhalb eines Kühlkörpers (8) und mit seiner Längsachse im wesentlichen senkrecht zur Längsachse des Ventils liegt.

IPC 1-7

H01L 25/14; H01L 23/46; H01L 23/56

IPC 8 full level

H01L 23/40 (2006.01); H01L 23/473 (2006.01); H01L 23/64 (2006.01); H01L 25/11 (2006.01)

CPC (source: EP US)

H01L 23/473 (2013.01 - EP US); H01L 23/647 (2013.01 - EP US); H01L 25/117 (2013.01 - EP US); H01L 2924/0002 (2013.01 - EP US)

Designated contracting state (EPC)

CH DE FR GB LI

DOCDB simple family (publication)

EP 0142678 A2 19850529; EP 0142678 A3 19870304; EP 0142678 B1 19901128; CA 1228893 A 19871103; DE 3483680 D1 19910110; IN 161499 B 19871212; JP H053143 B2 19930114; JP S6095960 A 19850529; SE 441047 B 19850902; SE 8305503 D0 19831006; SE 8305503 L 19850407; US 4578745 A 19860325

DOCDB simple family (application)

EP 84111531 A 19840927; CA 464764 A 19841004; DE 3483680 T 19840927; IN 742DE1984 A 19840921; JP 20724784 A 19841004; SE 8305503 A 19831006; US 65684784 A 19841002