Global Patent Index - EP 0152601 A1

EP 0152601 A1 19850828 - Aqueous alcaline bath for chemically plating copper or nickel.

Title (en)

Aqueous alcaline bath for chemically plating copper or nickel.

Title (de)

Wässriges alkalisches Bad zur Chemischen Abscheidung von Kupfer oder Nickel.

Title (fr)

Bain alcalin aqueux pour le dépÔt chimique du cuivre ou du nickel.

Publication

EP 0152601 A1 19850828 (DE)

Application

EP 84115513 A 19841215

Priority

DE 3404270 A 19840204

Abstract (en)

[origin: US4720404A] An aqueous alkaline bath is disclosed, for the adhesive chemical (electroless) deposition of copper, nickel, cobalt or their alloys with great purity, containing compounds of these metals, reducing agent, wetting agent, pH-regulating substance, stabilizer, inhibitor and complex former, characterized in that polyols and/or compounds of the biuret type are contained as complex former, as well as a method for the adhesive chemical deposition of the metals, employing this bath at a temperature from 5 DEG C. up to the boiling point of the bath, particularly for the manufacture of printed circuits.

Abstract (de)

Die Erfindung betrifft ein wäßriges alkalisches Bad zur haftfesten chemischen Abscheidung von Kupfer, Nickel, Kobalt oder deren Legierungen mit größter Reinheit, enthaltend Verbindungen dieser Metalle, Reduktionsmittel, Netzmittel, pH-regulierende Stoffe, Stabilisatoren, Inhibitoren und Komplexbildner, dadurch gekennzeichnet, daß es als Komplexbildner Polyole und/oder Verbindungen vom Biuret-Typ enthält, sowie ein Verfahren unter Verwendung dieses Bades, insbesondere zur Herstellung von gedruckten Schaltungen.

IPC 1-7

C23C 18/34; C23C 18/40

IPC 8 full level

C23C 18/34 (2006.01); C23C 18/40 (2006.01)

CPC (source: EP US)

C23C 18/34 (2013.01 - EP US); C23C 18/40 (2013.01 - EP US)

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

CH DE FR GB IT LI NL SE

DOCDB simple family (publication)

EP 0152601 A1 19850828; EP 0152601 B1 19881207; AT 384829 B 19880111; AT A27385 A 19870615; CA 1254353 A 19890523; DE 3404270 A1 19850808; DE 3475535 D1 19890112; JP S60204885 A 19851016; US 4720404 A 19880119

DOCDB simple family (application)

EP 84115513 A 19841215; AT 27385 A 19850131; CA 473446 A 19850201; DE 3404270 A 19840204; DE 3475535 T 19841215; JP 1881585 A 19850204; US 89674186 A 19860807