EP 0203114 A1 19861203 - METHOD FOR MANUFACTURING TRENCH GATE MOS STRUCTURES IN ICS AND ACCORDINGLY FABRICATED DEVICES.
Title (en)
METHOD FOR MANUFACTURING TRENCH GATE MOS STRUCTURES IN ICS AND ACCORDINGLY FABRICATED DEVICES.
Title (de)
VERFAHREN ZUM HERSTELLEN VON TRENCH-GATE-MOS-STRUKTUREN IN ICS UND DANACH HERGESTELLTE ANORDNUNGEN.
Title (fr)
PROCEDE DE FABRICATION DE STRUCTURES MOS DE CIRCUITS DE PORTE A TRANCHEE DANS DES STRUCTURES DE CIRCUITS INTEGRES ET DISPOSITIFS AINSI FABRIQUES.
Publication
Application
Priority
US 67485584 A 19841126
Abstract (en)
[origin: WO8603335A1] The method for manufacturing a trench gate MOS structure comprises a set of forming a trench having substantially vertical side walls into the surface of a semiconductor substrate, a step of forming a gate dielectric layer covering the bottom and sidewalls of the trench, a step of forming a gate electrode over the gate dielectric layer, a step of forming source and drain regions into the surface of the substrate said source and drain regions being separated from one another by the trench, and a step of forming an implant region (30) below or near the bottom of the trench and separating the source and drain region, said implant region having a doping level higher than that of the surrounding material.
Abstract (fr)
Un procédé de fabrication d'une structure MOS de circuit de porte à tranchée comprend la formation d'une tranchée ayant des parois latérales sensibles verticales pénétrant dans la surface d'un substrat semiconducteur, la formation d'une couche diélectrique de porte recouvrant le fond et les parois latérales de la tranchée, la formation d'une électrode de porte sur la couche diélectrique de porte, la formation de zones de source et de drain dans la surface du substrat, ces zones de source et de drain étant séparées l'une de l'autre par la tranchée, et la formation d'une zone d'implant (30) au-dessous ou près du fond de la tranchée, séparant la zone de source de la zone de drain. La région d'implant a un niveau de dopage supérieur à celui du matériau environnant.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 29/78 (2006.01); H01L 21/28 (2006.01); H01L 21/336 (2006.01); H01L 21/822 (2006.01); H01L 21/8242 (2006.01); H01L 29/10 (2006.01); H01L 29/423 (2006.01)
CPC (source: EP KR US)
H01L 21/28 (2013.01 - KR); H01L 21/8221 (2013.01 - EP US); H01L 29/1083 (2013.01 - EP US); H01L 29/66621 (2013.01 - EP US); H01L 29/78 (2013.01 - EP US); H10B 12/0383 (2023.02 - EP US)
Citation (search report)
See references of WO 8603335A1
Designated contracting state (EPC)
BE CH DE FR GB IT LI NL SE
DOCDB simple family (publication)
WO 8603335 A1 19860605; EP 0203114 A1 19861203; JP 2560008 B2 19961204; JP S62500898 A 19870409; KR 860700370 A 19861006; KR 930011895 B1 19931222; US 4835585 A 19890530
DOCDB simple family (application)
US 8502233 W 19851108; EP 85905729 A 19851108; JP 50504285 A 19851108; KR 860700498 A 19860725; US 67485584 A 19841126