Title (en)

Linear magneto-resistive detector, method of making it and its use in a detector for magnetic domains.

Title (de)

Linearer Magnetoresistiver Fühler, Verfahren zu seiner Herstellung und Anwendung in einem Detektor für magnetische Gebiete.

Title (fr)

Capteur à effet magnéto-résistif linéaire, son procédé de réalisation et son application dans un détecteur de domaines magnétiques.

Publication

EP 0206865 A1 19861230 (FR)

Application

EP 86401117 A 19860527

Priority

FR 8508162 A 19850530

Abstract (en)

[origin: US4827218A] A magnetoresistance-effect sensor for use in a magnetic domain detector for reading data recorded on magnetic tapes or in magnetic bubble memories mainly consists of a layer of semiconductor material which carries a layer of ferrimagnetic material on one face and at least one pair of electrodes disposed along an axis OX on the other face, the layer of ferrimagnetic material being placed in proximity to the magnetic data carrier. A magnetic data item thus induces a magnetic field in the layer of semiconductor material in a direction OY perpendicular to the axis OX of the pair of electrodes.

Abstract (fr)

L'invention concerne un détecteur de domaines magnétiques utilisant un capteur à effet magnéto résistif et son procédé de réalisation.Le capteur est constitué principalement d'une couche d'un matériau semi-conducteur (3) portant sur une face une couche d'un matériau ferrimagnétique (2) et, sur l'autre face, au moin un couple d'électrodes (4) disposées selon un axe - (OX).Ce capteur est disposé de telle façon que sa couche de matériau ferrimagnétique (2) est placée à proximité du support magnétique (6) à lire de telle façon qu'une information magnétique (71) induise un champ magnétique dans la couche de matériau semi-conducteur (3) selon une direction (OY) perpendiculaire à l'axe (OX) du couple d'électrodes.Un tel détecteur permet la lecture d'informations enregistrées sur bandes magnétiques ou dans des mémoires à bulles.

IPC 1-7

G11B 5/39; H01L 43/08

IPC 8 full level

G01R 33/09 (2006.01); G11B 5/39 (2006.01); G11B 5/49 (2006.01); G11C 19/08 (2006.01); H01L 43/08 (2006.01); G11B 5/00 (2006.01)

CPC (source: EP US)

B82Y 25/00 (2013.01 - EP US); G01R 33/093 (2013.01 - EP US); G11B 5/3993 (2013.01 - EP US); G11B 5/4946 (2013.01 - EP US); G11B 5/4969 (2013.01 - EP US); G11B 5/4976 (2013.01 - EP US); G11C 19/0866 (2013.01 - EP US); H10N 50/10 (2023.02 - EP US); G11B 2005/0032 (2013.01 - EP US)

Citation (search report)

• [A] US 3898359 A 19750805 - NADKARNI GAJANAN SHIVARAO
• [A] PATENTS ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 7, no. 292 (E-219)[1437], 27 décembre 1983; & JP - A - 58 166 781 (PIONEER K.K.) 01-10-1983
• [A] THIN SOLID FILMS, vol. 100, no. 2, février 1983, pages 81-109, Elsevier Sequoia, Lausanne, CH; R.M. MEHRA et al.: "Magnetoresistance in amorphous semiconductors"

Designated contracting state (EPC)

DE GB IT NL

DOCDB simple family (publication)

EP 0206865 A1 19861230; EP 0206865 B1 19890726; DE 3664703 D1 19890831; FR 2582862 A1 19861205; FR 2582862 B1 19870717; JP S61276385 A 19861206; US 4827218 A 19890502

DOCDB simple family (application)

EP 86401117 A 19860527; DE 3664703 T 19860527; FR 8508162 A 19850530; JP 12202686 A 19860527; US 14572088 A 19880115