EP 0231271 A1 19870812 - THREE-LEVEL INTERCONNECTION SCHEME FOR INTEGRATED CIRCUITS.
Title (en)
THREE-LEVEL INTERCONNECTION SCHEME FOR INTEGRATED CIRCUITS.
Title (de)
VERBINDUNGSSCHEMA AUF DREI EBENEN FÜR INTEGRIERTE SCHALTUNGEN.
Title (fr)
SCHEMA D'INTERCONNEXIONS A TROIS NIVEAUX POUR CIRCUITS INTEGRES.
Publication
Application
Priority
US 76032585 A 19850729
Abstract (en)
[origin: WO8700969A1] A region of a semiconductor MOS integrated circuit consists essentially of mutually parallel and spaced-apart cell rows with three successive levels of interconnections: (1) a first level (117), typically polysilicon, in which conducting stripes are confined essentially to areas overlying the cell rows; (2) a second level (116, 121), typically aluminum, in which conducting stripes run perpendicular to the cell row direction; and (3) a third level (120, 122), typically aluminum, in which conducting stripes run parallel to the row direction. In this way, the lengths of all (relatively high resistivity) first level interconnections can be made relatively short, without either crowding or complicating the layout of the second and third levels.
Abstract (fr)
Une région d'un circuit intégré de semi-conducteur en oxyde de métal se compose essentiellement de rangées de cellules parallèles les unes aux autres et écartées les unes des autres et présentant trois niveaux successifs d'interconnexion: (1) un premier niveau (117), généralement du polysilicium, dans lequel les bandes conductrices sont confinées essentiellement aux zones qui sont superposées aux rangées de cellules; (2) un second niveau (116, 121), généralement de l'aluminium, dans lequel les bandes conductrices sont perpendiculaires à la direction des rangées de cellules; et (3) un troisième niveau (120, 122), généralement de l'aluminium, dans lequel les bandes conductrices sont parallèles à la direction des rangées de cellules. Ainsi, la longueur de toutes les interconnexions du premier niveau (qui présentent une résistivité relativement élevée) peut être rendue relativement courte, sans encombrer ni compliquer la disposition des second et troisième niveaux.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 21/3205 (2006.01); H01L 21/8234 (2006.01); H01L 23/52 (2006.01); H01L 23/528 (2006.01); H01L 27/088 (2006.01); H01L 29/78 (2006.01)
CPC (source: EP KR)
H01L 23/52 (2013.01 - KR); H01L 23/5283 (2013.01 - EP); H01L 2924/0002 (2013.01 - EP)
Citation (search report)
See references of WO 8700969A1
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB IT NL
DOCDB simple family (publication)
WO 8700969 A1 19870212; EP 0231271 A1 19870812; JP S63500555 A 19880225; KR 880700464 A 19880315
DOCDB simple family (application)
US 8601462 W 19860714; EP 86904665 A 19860714; JP 50384686 A 19860714; KR 870700270 A 19870326