EP 0251010 A1 19880107 - Gas-filled surge arrester.
Title (en)
Gas-filled surge arrester.
Title (de)
Gasentladungsüberspannungsableiter.
Title (fr)
Dérivateur de surtension à gaz.
Publication
Application
Priority
DE 3621254 A 19860625
Abstract (en)
[origin: US4769736A] A surge arrester which has activating compound applied in recesses outside of an ignition gap. The distance between the recesses of two electrodes in the surge arrester is distinctly greater than the width of the ignition gap form by the electrodes. The ignition gap is not effected by deforming of the activating compound and therefore an associated change in the ignition voltage does not occur. These surge arresters are particularly suited for very small electrode spacing.
Abstract (de)
Um die Zuverlässigkeit von Überspannungsableitern und die Konstanz ihrer Werte zu erhöhen, wird vorgeschlagen, in einem Überspannungsableiter die Aktivierungsmasse außerhalb des Zündspaltes in Vertiefungen (9, 10) aufzutragen. Dabei ist der Abstand der Vertiefungen zweier Elektroden (1, 2) deutlich größer als die Breite des durch die Elektroden gebildeten Zündspaltes (7). Der Zündspalt (7) wird von einer sich verformenden Aktivierungsmasse nicht erfaßt, eine damit zusammenhängende Veränderung der Zündspannung tritt nicht ein. Die Erfindung eignet sich insbesondere für Überspannungsableiter mit sehr kleinen Elektrodenabständen.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01T 1/20 (2006.01); H01T 1/22 (2006.01); H01T 4/12 (2006.01)
CPC (source: EP KR US)
H01T 1/20 (2013.01 - KR); H01T 1/22 (2013.01 - EP US); H01T 4/12 (2013.01 - EP US)
Citation (search report)
- [A] DE 2417025 A1 19751016 - SIEMENS AG
- [A] FR 2430082 A1 19800125 - SIEMENS AG [DE]
- [A] GB 1389142 A 19750403 - COMTELCO UK LTD
- [A] GB 1455806 A 19761117 - SIEMENS AG
- [AD] DE 1944564 A1 19710304 - SIEMENS AG
Designated contracting state (EPC)
CH DE GB IT LI
DOCDB simple family (publication)
EP 0251010 A1 19880107; EP 0251010 B1 19910102; DE 3621254 A1 19880107; DE 3766888 D1 19910207; JP S6313290 A 19880120; KR 880001083 A 19880331; KR 960000922 B1 19960115; US 4769736 A 19880906
DOCDB simple family (application)
EP 87108588 A 19870615; DE 3621254 A 19860625; DE 3766888 T 19870615; JP 15640687 A 19870623; KR 870006352 A 19870623; US 6396187 A 19870619