EP 0255416 A1 19880203 - Double channel heterojunction semiconductor device, its use in a field effect transistor, and its use in a negative transductance device.
Title (en)
Double channel heterojunction semiconductor device, its use in a field effect transistor, and its use in a negative transductance device.
Title (de)
Halbleiteranordnung mit Heteroübergängen und zwei Kanälen, ihre Verwendung beim Feldeffekttransistor und ihre Verwendung bei einer Anordnung mit negativer Transduktanz.
Title (fr)
Dispositif semiconducteur à hétérojonction et double canal, son application à un transistor à effet de champ, et son application à un dispositif de transductance négative.
Publication
Application
Priority
FR 8609441 A 19860630
Abstract (en)
[origin: US4806998A] A heterojunction semiconductor device which has a dual channel with a high mobility layer, a barrier layer and a low mobility layer. The barrier layer is thin enough for the carriers to pass from the low mobility layer to the high mobility layer by tunnel effect, during variations of the polarization electrical field of the dual channel. The device can be used as field effect transistors with a quick response time, without variation in the charge of the channel but with a variation in the mobility of the carriers; or as negative transconductance devices for oscillators or complementary transistors in integrated circuits.
Abstract (fr)
Le dispositif semi-conducteur à hétérojonction comporte un double canal ayant une couche à mobilité forte (1), une couche barrière (2), et une couche à mobilité réduite (3), la couche barrière étant suffisamment mince pour que les porteurs puissent passer de la couche à mobilité réduite à la couche à mobilité plus forte par effet tunnel, lors de variations du champ électrique de polarisation de ce double canal. Ce dispositif est applicable à la réalisation de transistors à effet de champ à temps de réponse rapide, sans variation de charge du canal, mais avec variation de la mobilité des porteurs. Il s'applique également aux dispositifs à transconductance négative utilisables comme oscillateur ou transistor complémentaire dans les circuits intégrés.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 29/205 (2006.01); G11B 15/44 (2006.01); H01L 21/338 (2006.01); H01L 29/772 (2006.01); H01L 29/778 (2006.01); H01L 29/812 (2006.01)
CPC (source: EP US)
H01L 29/772 (2013.01 - EP US); H01L 29/7727 (2013.01 - EP US); H01L 29/7787 (2013.01 - EP US)
Citation (search report)
- [X] EP 0155215 A2 19850918 - FUJITSU LTD [JP]
- [A] GB 2168847 A 19860625 - SONY CORP
- INTERNATIONAL ELECTRON DEVICES MEETING - IEDM Technical Digest, Washington, D.C., 5-7 décembre 1983, pages 107-110, Electron Devices Society of IEEE; L. LORECK et al.: "Deep level analysis in (a1Ga)As-GaAs MODFETs by means of low frequency noise measurements"
- JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, vol. 21, no. 6, juin 1982, pages L381-L383, Tokyo, JP; H. SAKAKI: "Velocity-modulation transistor (VMT) - A new field-effect transistor concept"
Designated contracting state (EPC)
DE GB IT NL
DOCDB simple family (publication)
FR 2600821 A1 19871231; FR 2600821 B1 19881230; EP 0255416 A1 19880203; JP S6327065 A 19880204; US 4806998 A 19890221
DOCDB simple family (application)
FR 8609441 A 19860630; EP 87401483 A 19870626; JP 16387087 A 19870630; US 6710987 A 19870625