Global Patent Index - EP 0348608 A1

EP 0348608 A1 19900103 - Method of deposing silicon crystals.

Title (en)

Method of deposing silicon crystals.

Title (de)

Verfahren zum Freilegen von Silizium-Kristallen.

Title (fr)

Procédé pour dégager des cristaux de silicium.

Publication

EP 0348608 A1 19900103 (DE)

Application

EP 89105763 A 19890401

Priority

DE 3822169 A 19880630

Abstract (en)

A method is described of exposing silicon crystals on fine- machined, preferably honed surfaces of workpieces made from silicon alloys or from hypereutectic aluminium-silicon alloys such as Al Si 17 Cu 4 Mg, in which the silicon crystals (1) are embedded in a substantially softer matrix (2). To this end, the surface of the workpiece is treated with a brush (4 to 30) subsequently to the fine machining. <IMAGE>

Abstract (de)

Beschrieben wird ein Verfahren zum Freilegen von Silizium-Kristallen an feinbearbeiteten, vorzugsweise gehonten Oberflächen von Werkstücken aus Silizium-Legierungen, bspw. übereutekrischen Aluminium-Silizium-Legierungen wie Al Si 17 Cu 4 Mg, bei denen die Silizium-Kristalle (1) in eine erheblich weichere Matrix (2) eingebettet sind. Dazu wird die Oberfläche des Werkstückes anschließend an die Feinbearbeitung mit einer Bürste (4 bis 30) bearbeitet.

IPC 1-7

B24B 33/02; B24D 13/10

IPC 8 full level

B24B 33/02 (2006.01); B24D 13/10 (2006.01)

CPC (source: EP)

B24B 33/02 (2013.01); B24D 13/10 (2013.01)

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

DE FR GB IT SE

DOCDB simple family (publication)

EP 0348608 A1 19900103; EP 0348608 B1 19920916; EP 0348608 B2 20001004; DE 3822169 A1 19900104; DE 3822169 C2 19930204; DE 58902276 D1 19921022

DOCDB simple family (application)

EP 89105763 A 19890401; DE 3822169 A 19880630; DE 58902276 T 19890401