Global Patent Index - EP 0360888 A1

EP 0360888 A1 19900404 - CMOS pulse width modulator.

Title (en)

CMOS pulse width modulator.

Title (de)

CMOS-Pulsweitenmodulator.

Title (fr)

Modulateur CMOS d'impulsions en durée.

Publication

EP 0360888 A1 19900404 (DE)

Application

EP 88115840 A 19880926

Priority

EP 88115840 A 19880926

Abstract (en)

To carry out a logic operation on comparator comparison results of a pulse width modulator, a pulse width modulator designed in complementary MOS technology with two comparators (M1 to M5, M11 to M15; M21 to M25, M31 to M35) and associated output stages (M8, M9, M18, M19; M26, M36, M40) is described in which the output stages are connected together. For this purpose, the output transistors (M8, M18; M26, M36), controlled by the comparator outputs, of the output stages (M8, M9, M18, M19; M26, M36, M40) are connected in series with their output circuits and their output complementary transistors (M9, M19; M40) are connected in parallel. <IMAGE>

Abstract (de)

Zur Durchführung einer logischen Verknüpfung von Komparatorvergleichsergebnissen eines Pulsweitenmodulators wird ein in komplementärer MOS-Technik ausgeführter Pulsweitenmodulator mit zwei Komparatoren (M1 bis M5, M11 bis M15; M21 bis M25, M31 bis M35) und zugeordneten Ausgangsstufen (M8, M9, M18, M19; M26, M36, M40) beschrieben, bei dem die Ausgangsstufen zusammengeschaltet sind. Zu diesem Zweck sind die von den Komparatorausgängen gesteuerten Ausgangstransistoren (M8, M18; M26, M36) der Ausgangsstufen (M8, M9, M18, M19; M26, M36, M40) mit ihren Ausgangskreisen in Reihe und ihre Ausgangskomplementärtransistoren (M9, M19; M40) parallel geschaltet.

IPC 1-7

H02M 3/156; H03K 7/08

IPC 8 full level

H02M 3/156 (2006.01); H03K 7/08 (2006.01)

CPC (source: EP US)

H02M 3/156 (2013.01 - EP US); H03K 7/08 (2013.01 - EP US)

Citation (search report)

  • [A] DE 3227296 A1 19830210 - NIPPON ELECTRIC CO [JP]
  • [A] US 4238695 A 19801209 - HOCK RICHARD H [US]
  • [A] ELECTRONIC DESIGN, Band 30, Nr. 14, 8. Juli 1982, Seiten 175-179, Waseca, MN, Denville, NJ, US; J. ALBERKRACK et al.: "Scaling down PWM chip suits low-power switchers"
  • [A] RADIO FERNSEHEN ELEKTRONIK, Band 27, Nr. 9, September 1978, Seiten 551-555, VEB Verlag Technik, Berlin, DD; G. TURINSKY: "Schaltungsbeispiele mit CMOS-Schaltkreisen"
  • [AD] IEEE JOURNAL OF SOLID-STATE CIRCUITS, Band SC-17, Nr. 6, Dezember 1982, Seiten 969-981, IEEE, New York, US; P.R. GRAY et al.: "MOS operational amplifier design - A tutorial overview"

Designated contracting state (EPC)

AT BE CH DE ES FR GB GR IT LI LU NL SE

DOCDB simple family (publication)

EP 0360888 A1 19900404; EP 0360888 B1 19931118; AT E97522 T1 19931215; DE 3885750 D1 19931223; JP H02117209 A 19900501; US 5049761 A 19910917

DOCDB simple family (application)

EP 88115840 A 19880926; AT 88115840 T 19880926; DE 3885750 T 19880926; JP 24325389 A 19890918; US 41291689 A 19890926