Global Patent Index - EP 0375500 A1

EP 0375500 A1 19900627 - Process for producing small-sized electrodes in an integrated circuit.

Title (en)

Process for producing small-sized electrodes in an integrated circuit.

Title (de)

Verfahren zur Herstellung kleindimensionierter Elektroden in einer integrierten Schaltung.

Title (fr)

Procédé de fabrication d'électrodes de faible dimension, dans un circuit intégré.

Publication

EP 0375500 A1 19900627 (FR)

Application

EP 89403408 A 19891208

Priority

FR 8816805 A 19881220

Abstract (en)

[origin: US4968646A] According to the invention, a first layer of conductive material (11) is submitted to an incomplete etching operation in the presence of a mask (13). After elimination of the mask, a second layer of conductive material is deposited, and the thus-obtained result is submitted to an etching operation without a mask, so allowing the inter-electrode gaps to be reduced. The process provides a very tight electrode configuration, and is particularly suited to charge-coupled devices.

Abstract (fr)

Elaboration d'électrodes très resserrées, notamment dans un dispositif à transfert de charge. Selon l'invention, une première couche (11) de matériau conducteur est déposée et subit une gravure incomplète en présence d'un masque (13); après élimination du masque, une seconde couche de matériau conducteur est déposée et l'ensemble est soumis à une gravure sans masque, ce qui permet de réduire la largeur des espaces interélectrodes.

IPC 1-7

H01L 21/28; H01L 21/339

IPC 8 full level

H01L 29/417 (2006.01); H01L 21/339 (2006.01); H01L 29/762 (2006.01)

CPC (source: EP US)

H01L 29/66954 (2013.01 - EP US)

Citation (search report)

  • [A] EP 0142186 A2 19850522 - PHILIPS NV [NL]
  • [A] JOURNAL OF THE ELECTROCHEMICAL SOCIETY, vol. 130, no. 9, septembre 1983, pages 1894-1897, Manchester, New Hampshire, US; R.M. LEVIN et al.: "Oxide isolation for double-polysilicon VLSI devices"

Designated contracting state (EPC)

DE FR GB NL

DOCDB simple family (publication)

EP 0375500 A1 19900627; FR 2640808 A1 19900622; FR 2640808 B1 19910208; JP H03191536 A 19910821; US 4968646 A 19901106

DOCDB simple family (application)

EP 89403408 A 19891208; FR 8816805 A 19881220; JP 33095689 A 19891220; US 44895689 A 19891212