EP 0386085 A1 19900912 - MOSFET IN SILICON CARBIDE.
Title (en)
MOSFET IN SILICON CARBIDE.
Title (de)
MOSFET-TRANSISTOR IN SILIZIUMKARBID.
Title (fr)
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP DE TYPE MOS FORME DANS DU CARBURE DE SILICIUM.
Publication
Application
Priority
US 11356487 A 19871026
Abstract (en)
[origin: WO8904056A1] The present invention comprises a metal-oxide-semiconductor field-effect transistor (MOSFET) formed in silicon carbide (12). The doped source (10) and doped drain (11) are formed by high temperature ion implantation of dopant ions into the silicon carbide (12).
Abstract (fr)
La présente invention se rapporte à un transistor à effet de champ de type MOS (semiconducteur à grille isolée par oxyde métallique) formé dans du carbure de silicium (12). La source dopée (10) et le drain dopé (11) sont formés par implantation ionique à haute température d'ions dopants dans le carbure de silicium (12).
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 29/78 (2006.01); H01L 29/24 (2006.01)
CPC (source: EP KR)
H01L 29/1608 (2013.01 - EP); H01L 29/772 (2013.01 - KR)
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB IT NL SE
DOCDB simple family (publication)
WO 8904056 A1 19890505; CA 1313571 C 19930209; EP 0386085 A1 19900912; EP 0386085 A4 19901128; JP 2644028 B2 19970825; JP H03501670 A 19910411; KR 0137966 B1 19980601; KR 890702245 A 19891223
DOCDB simple family (application)
US 8803793 W 19881026; CA 581146 A 19881025; EP 88909938 A 19881026; JP 50917288 A 19881026; KR 890701157 A 19890626