EP 0450106 A1 19911009 - Process and apparatus for forming a titanium nitride layer by chemical vapour depositing for highly integrated circuits.
Title (en)
Process and apparatus for forming a titanium nitride layer by chemical vapour depositing for highly integrated circuits.
Title (de)
Verfahren und Vorrichtung zur Herstellung einer Titannitrid-Schicht für höchstintegrierte Schaltungen mittels chemischer Dampfphasenabscheidung.
Title (fr)
Procédé et dispositif pour former par dépÔt chimique en phase vapeur une couche de nitrure de titane pour circuits à haute densité d'intégration.
Publication
Application
Priority
EP 90106137 A 19900330
Abstract (en)
To form titanium nitride layers, which are used as adhesive, contact and barrier layers in VLSI circuits, a chemical vapour-phase deposition process in a multichamber high-vacuum system is employed. The choice of a nitrogen-containing organic titanium compound as starting substance and the use of thermal, optical and/or plasma excitation makes it possible to deposit layers even at low temperatures in the range 200-550 DEG C. The layers obtained are notable for a high edge coverage even with narrow vias and for good electrical and chemical properties. An apparatus in accordance with the invention for carrying out the process comprises a multichamber high-vacuum system whose chambers (1 - 6) are linked by high-vacuum locks (7), with the result that a particularly advantageous combination of several different processes is possible without interrupting the high-vacuum conditions.
Abstract (de)
Zur Herstellung von Titannitrid-Schichten, die als Haft-, Kontakt- und Barriere-Schichten in höchstintegrierten Schaltungen verwendet werden, wird ein chemischer Dampfphasenabscheideprozeß in einer Mehrkammer-Hochvakuumanlage eingesetzt, wobei durch die Wahl einer stickstoffhaltigen organischen Titan-Verbindung als Ausgangssubstanz und den Einsatz von thermischer, optischer und/oder Plasma-Anregung eine Schichtabscheidung auch bei niedrigen Temperaturen im Bereich 200 - 550° C ermöglicht wird. Die erhaltenen Schichten zeichnen sich durch eine hohe Kantenbedeckung auch bei engen Kontaktlöchern sowie durch gute elektrische und chemische Eigenschaften aus. Eine erfindungsgemäße Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens besteht aus einer Mehrkammer-Hochvakuumanlage, deren Kammern (1 - 6) durch Hochvakuumschleusen (7) verbunden sind, so daß eine besonders vorteilhafte Kombination mehrerer, unterschiedlicher Prozesse ohne Unterbrechung der Hochvakuum-Bedingungen möglich ist.
IPC 1-7
IPC 8 full level
C23C 16/34 (2006.01); H01L 21/28 (2006.01); H01L 21/285 (2006.01); H01L 21/768 (2006.01)
CPC (source: EP)
C23C 16/34 (2013.01); H01L 21/76843 (2013.01)
Citation (search report)
- [X] EP 0174743 A2 19860319 - THIOKOL MORTON INC [US]
- [AD] JOURNAL ELECTROCHEM. SOC.: SOLID-STATE SCIENCE AND TECHNOLOGY, Band 122, Nr. 11, November 1975, Seiten 1545-1549; (K. SUGIYAMA et al.): "Low temperature deposition of metal nitrides by thermal decomposition of organometallic compounds"
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB IT NL
DOCDB simple family (publication)
EP 0450106 A1 19911009; IE 911058 A1 19911009; JP H04225225 A 19920814; KR 100200910 B1 19990615
DOCDB simple family (application)
EP 90106137 A 19900330; IE 105891 A 19910328; JP 9138391 A 19910329; KR 910005132 A 19910330