EP 0484538 A1 19920513 - SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS.
Title (en)
SILICON SINGLE CRYSTAL MANUFACTURING APPARATUS.
Title (de)
SILIZIUM EINKRISTALLZIEHUNGSAPPARAT.
Title (fr)
APPAREIL DE FABRICATION DE MONOCRISTAUX DE SILICIUM.
Publication
Application
Priority
JP 9858390 A 19900413
Abstract (en)
[origin: WO9116476A1] A large-diameter silicon single crystal manufacturing apparatus including a rotation-type quartz crucible, an electric resistance heater, a quartz partition member having communication holes, a heat keeping cover, etc. The total sum A of the cross-sectional areas of the communication holes formed in the partition member is between 80 and 100 mm<2> when the feed rate of starting material is between 30 and 50 g/min, not less than 130 mm<2> and not greater than 1200 mm<2> when the starting material feed rate is in the range from 50 to 80 g/min and not less than 220 mm<2> and not greater than 1600 mm<2> when the starting material feed rate is in the range from 80 to 130 g/min.
Abstract (fr)
L'appareil décrit, qui sert à la fabrication de monocristaux de silicium de grand diamètre, comprend un creuset de quartz à rotation, un organe chauffant à résistance électrique, un élément de cloisonnement de quartz comportant des trous de communication, un couvercle conservant la chaleur, etc. La somme totale A des superficies de section transversale des trous de communication formés dans l'élément de cloisonnement est comprise entre 80 et 100 mm2 lorsque la cadence d'amenée du matériau de départ est comprise entre 30 et 50 g/min, elle n'est pas inférieure à 130 mm2 et ne dépasse pas 1200 mm2 lorsque la cadence d'amenée du matériau de départ est comprise entre 50 et 80 g/min et elle n'est pas inférieure à 220 mm2 et ne dépasse pas 1600 mm2 lorsque la cadence d'amenée du matériau de départ est comprise entre 80 et 130 g/min.
IPC 1-7
IPC 8 full level
C30B 15/04 (2006.01); C30B 15/00 (2006.01); C30B 15/12 (2006.01); C30B 29/06 (2006.01); H01L 21/208 (2006.01)
CPC (source: EP KR)
C30B 15/12 (2013.01 - EP KR); C30B 29/06 (2013.01 - EP)
Citation (search report)
See references of WO 9116476A1
Designated contracting state (EPC)
DE FR NL
DOCDB simple family (publication)
WO 9116476 A1 19911031; CN 1056135 A 19911113; EP 0484538 A1 19920513; JP 2585123 B2 19970226; JP H03295891 A 19911226; KR 920702732 A 19921006
DOCDB simple family (application)
JP 9100477 W 19910411; CN 91102532 A 19910413; EP 91906975 A 19910411; JP 9858390 A 19900413; KR 910701827 A 19911210