EP 0510049 A1 19921028 - A METHOD FOR MANUFACTURING OF MINEATURE IMPEDANCE MATCHED INTERCONNECTION PATTERNS.
Title (en)
A METHOD FOR MANUFACTURING OF MINEATURE IMPEDANCE MATCHED INTERCONNECTION PATTERNS.
Title (de)
HERSTELLUNGSVERFAHREN FÜR MINIATUR-VERBINDUNGSMUSTER MIT ANGEPASSTER IMPEDANZ.
Title (fr)
PROCEDE DE FABRICATION DE SYSTEMES D'INTERCONNEXION MINIATURISES A IMPEDANCES ADAPTEES.
Publication
Application
Priority
NO 900229 A 19900116
Abstract (en)
[origin: WO9111025A1] The Combi-Film-Hybrid (CFH) technology combines multilayer thick-film and thin-film on the same substrate to build high-density interconnections with integrated resistors for multi-chip modules. The technology is based on two or more multi-layer thick-film conductor layers with printable thick-film dielectric layers between the conductors including via-holes and with one or more thin-film signal interconnection layers on top of the thick-film structure using thick-film or glass between the last printed thick-film conductor and the thin-film, and with polyimide dielectric between the thin-film layers. All dielectric layers include via-holes. Each thin-film layer consists of a resistive film, a diffusion barrier film and a conductive film photopatterned to include thin-film resistors. Transmission lines for critical signals are built of thin-film and by using the underlaying thick-film layer as reference plane and hereby making possible design of high-density interconnections with characteristics impedance matched to the integrated circuits being used, to the package itself and outside interconnection.
Abstract (fr)
La technologie Combi-Film-Hybrid (CFH) réunit sur le même substrat un ensemble multicouche de films épais et minces afin de créer pour les modules à puces multiples des interconnexions à haute densité possédant des résistances intégrées. La technologie se fonde sur au moins deux couches conductrices à film épais en assemblage multicouche ayant des couches diélectriques imprimables à film épais entre les conducteurs, avec des trous d'interconnexion entre couches, et ayant une ou plusieurs couches d'interconnexion de signaux à film mince disposées sur la structure à film épais à l'aide d'un film épais ou de verre posé entre le dernier film épais conducteur imprimé et le film mince, et avec également un diélectrique polymidique entre les couches à film mince. Toutes les couches diélectriques comprennent des trous d'interconnection. Chaque couche à film mince est constituée d'une couche résistive, d'un film barrière de diffusion et d'un film conducteur photoconfiguré pour comprendre des résistance à couche mince. Les lignes de transmission pour les signaux critiques sont des lignes de transmission à film mince et, en utilisant comme plan de référence la couche à film épais sous-jacente, l'on peut obtenir des interconnexions à haute densité ayant une impédance caractéristique adaptée aux circuits intégrés utilisés, au boîtier lui-même, et aux interconnexions extérieures.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 21/768 (2006.01); H01L 23/12 (2006.01); H01L 23/498 (2006.01); H01L 23/538 (2006.01); H05K 1/16 (2006.01); H05K 3/46 (2006.01); H05K 1/03 (2006.01); H05K 1/09 (2006.01)
CPC (source: EP)
H01L 23/49866 (2013.01); H01L 23/538 (2013.01); H01L 23/5383 (2013.01); H05K 1/167 (2013.01); H01L 2924/0002 (2013.01); H01L 2924/3011 (2013.01); H05K 1/0306 (2013.01); H05K 1/092 (2013.01); H05K 3/467 (2013.01); H05K 2201/0154 (2013.01); H05K 2201/0317 (2013.01); H05K 2201/0352 (2013.01)
Citation (search report)
See references of WO 9111025A1
Designated contracting state (EPC)
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DOCDB simple family (publication)
WO 9111025 A1 19910725; AU 7068791 A 19910805; EP 0510049 A1 19921028; JP H06503680 A 19940421; NO 900229 D0 19900116
DOCDB simple family (application)
NO 9100005 W 19910116; AU 7068791 A 19910116; EP 91902142 A 19910116; JP 50249391 A 19910116; NO 900229 A 19900116