Title (en)

Method for fabricating thin film transistors and thin film transistor produced by said method.

Title (de)

Verfahren zum Herstellen von Dünnfilmtransistoren und daraus hergestellten Dünnfilmtransistor.

Title (fr)

Procédé pour fabriquer des transistors à film mince et transistor à film mince ainsi fabriqué.

Publication

EP 0510368 A1 19921028 (EN)

Application

EP 92105097 A 19920325

Priority

US 67699891 A 19910328

Abstract (en)

High mobility thin film transistors for fabricating integrated drivers for active matrix displays and a special method of fabrication for obtaining the thin film transistors having mobility sufficiently high enough as drivers operable in the several megahertz frequency range needed for driving high resolution active matrix displays. <IMAGE>

IPC 1-7

H01L 21/20; H01L 21/304; H01L 21/306; H01L 21/84; H01L 27/12

IPC 8 full level

H01L 21/02 (2006.01); H01L 21/20 (2006.01); H01L 21/306 (2006.01); H01L 21/336 (2006.01); H01L 21/762 (2006.01); H01L 21/77 (2006.01); H01L 21/84 (2006.01); H01L 27/12 (2006.01); H01L 29/78 (2006.01); H01L 29/786 (2006.01); G02F 1/1362 (2006.01)

CPC (source: EP KR US)

H01L 21/2007 (2013.01 - EP US); H01L 21/30604 (2013.01 - EP US); H01L 21/76264 (2013.01 - EP US); H01L 27/1214 (2013.01 - EP US); H01L 27/1259 (2013.01 - EP US); H01L 29/66772 (2013.01 - EP US); H01L 29/78 (2013.01 - KR); H01L 29/78633 (2013.01 - EP US); H01L 29/78654 (2013.01 - EP US); G02F 1/13454 (2013.01 - EP US); H01L 21/76275 (2013.01 - EP US); H01L 21/76281 (2013.01 - EP US); H01L 21/76289 (2013.01 - EP US)

Citation (search report)

• [Y] EP 0179719 A1 19860430 - EFCIS [FR]
• [Y] US 3902979 A 19750902 - THOMAS RICHARD N
• [Y] US 4372803 A 19830208 - GIGANTE JOSEPH R
• [Y] US 4826709 A 19890502 - RYAN VIVIAN W [US], et al
• [Y] US 4956680 A 19900911 - TANAKA HIDEO [JP], et al
• [A] US 3997381 A 19761214 - WANLASS DAVID R
• [Y] SENSOR AND ACTUATORS - A PHYSICAL vol. 24, no. 2, July 1990, LAUSANNE CH pages 117 - 122; L.J. SPANGLER ET AL.: 'A Bulk Silicon SOI Process for Active Sensors'

Designated contracting state (EPC)

DE DK FR GB IT NL SE

DOCDB simple family (publication)

EP 0510368 A1 19921028; EP 0510368 B1 19960320; CA 2061796 A1 19920929; CA 2061796 C 20021224; DE 69209126 D1 19960425; DE 69209126 T2 19960919; DK 0510368 T3 19960729; FI 921312 A0 19920326; FI 921312 A 19920929; IL 101218 A0 19921115; IL 101218 A 19940227; JP 3314345 B2 20020812; JP H05136170 A 19930601; KR 100201715 B1 19990615; KR 920018978 A 19921022; NO 921094 D0 19920319; NO 921094 L 19920929; US 5281840 A 19940125

DOCDB simple family (application)

EP 92105097 A 19920325; CA 2061796 A 19920225; DE 69209126 T 19920325; DK 92105097 T 19920325; FI 921312 A 19920326; IL 10121892 A 19920313; JP 10253492 A 19920330; KR 920005144 A 19920326; NO 921094 A 19920319; US 93165392 A 19920817