EP 0607075 A1 19940720 - Electronic component which can have a negative dynamic resistance and process for making the same.
Title (en)
Electronic component which can have a negative dynamic resistance and process for making the same.
Title (de)
Elektronische Anordnung, die einen negativen dynamischen Widerstand haben kann, und Verfahren zur Herstellung.
Title (fr)
Composant électronique capable de résistance dynamique négative et procédé de fabrication correspondant.
Publication
Application
Priority
FR 9300197 A 19930112
Abstract (en)
The semiconductor electronic component comprises, within a semiconductor substrate (3), a first active region (2, 4) having a first type of conductivity (N, N<++>), and a second active region (10), having a second type of conductivity (P, P<++>), which is opposite to the first type, situated between the first active region (2) and the upper face (5) of the substrate. On the upper face of the substrate a projecting region (6) is provided, containing a third active region (7, 8) having the first type of conductivity (N<+>, N<++>) and surmounting a first part (10a) of the second active region. Metallisations (13, 14, 15) are situated respectively in contact with the three active regions (4, 10e, 7). The second active region includes a depletable semiconducting zone (Z) extending out of the first part (10a) of the second active region, and between the first active region (2) and the upper face (5) of the substrate. Depletion means (11; 213b, 209b, 211) are also provided, situated in the immediate vicinity of this depletable zone (Z) and able to deplete the said depletable zone under the action of a chosen bias voltage. <IMAGE>
Abstract (fr)
Le composant électronique semi-conducteur comprend, au sein d'un substrat semi-conducteur (3), une première région active (2, 4) ayant un premier type de conductivité (N, N<+><+>), et une deuxième région active (10), ayant un deuxième type de conductivité (P, P<+><+>), opposé au premier type, située entre la première région active (2) et la face supérieure (5) du substrat. Sur la face supérieure du substrat, est prévue une région saillante (6) contenant une troisième région active (7, 8) ayant le premier type de conductivité (N<+>, N<+><+>) et surmontant une première partie (10a) de la deuxième région active. Des métallisations (13, 14, 15) sont respectivement situées au contact des trois régions actives (4, 10e, 7). La deuxième région active comporte une zone semi-conductrice déplétable (Z) s'étendant à l'extérieur de la première partie (10a) de la deuxième région active, et entre la première région active (2) et la face supérieure (5) du substrat. Il est prévu également des moyens de déplétion (11; 213b, 209b, 211), situés au voisinage immédiat de cette zone déplétable (Z), et apte à dépléter ladite zone déplétable sous l'action d'une tension de polarisation choisie. <IMAGE>
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 21/822 (2006.01); H01L 21/33 (2006.01); H01L 21/8249 (2006.01); H01L 27/04 (2006.01); H01L 27/06 (2006.01); H01L 29/66 (2006.01); H01L 29/732 (2006.01); H01L 29/739 (2006.01)
CPC (source: EP US)
H01L 21/8249 (2013.01 - EP US); H01L 29/66227 (2013.01 - EP US); H01L 29/732 (2013.01 - EP US); H01L 29/739 (2013.01 - EP US); Y10S 257/90 (2013.01 - EP)
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Designated contracting state (EPC)
DE FR GB
DOCDB simple family (publication)
EP 0607075 A1 19940720; EP 0607075 B1 20030416; DE 69432494 D1 20030522; FR 2700418 A1 19940713; FR 2700418 B1 19950407; JP 3746306 B2 20060215; JP H06283671 A 19941007; US 5465001 A 19951107
DOCDB simple family (application)
EP 94400052 A 19940110; DE 69432494 T 19940110; FR 9300197 A 19930112; JP 1217894 A 19940110; US 17857494 A 19940107