EP 0623244 A1 19941109 - QUANTUM WELL P-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND INTEGRATED CIRCUIT HAVING COMPLEMENTARY TRANSISTORS.
Title (en)
QUANTUM WELL P-CHANNEL FIELD EFFECT TRANSISTOR, AND INTEGRATED CIRCUIT HAVING COMPLEMENTARY TRANSISTORS.
Title (de)
P-KANAL QUANTEN-TOPF-FELDEFFEKTTRANSISTOR UND INTEGRIERTE SCHALTUNG MIT KOMPLEMENTAEREN TRANSISTOREN.
Title (fr)
TRANSISTOR A EFFET DE CHAMP A CANAL P A PUITS QUANTIQUE, ET CIRCUIT INTEGRE A TRANSISTORS COMPLEMENTAIRES.
Publication
Application
Priority
- FR 9200668 A 19920122
- FR 9208985 A 19920721
- FR 9300061 W 19930121
Abstract (en)
[origin: WO9315523A1] A transistor comprising an AlxGa1-xAs (or AlxIn1-xAs) layer and a GayIn1-yAs layer defining, at the latter layer, a quantum well having HH-type sub-bands. The thickness of the GayIn1-yAs layer is selected so that when a negative voltage (VG) is applied to the gate, sub-bands HH1, HH2, HH3,... occur in the quantum well and are separated by sufficient energy to ensure that the sub-bands corresponding to the highest effective masses M*h// have a substantially lower hole density than sub-band HH1, whereby a hole build-up condition is created in the quantum well and the transconductance of the component is correlatively increased. This corresponds to a GayIn1-yAs thickness of about 4-6 nm for 25-35 % indium, or 6-9 nm for 25-30 % indium. In order to further improve performance, a ternary structure such as AlxGa1-xAs/GayIn1-yAs/AlzGa1-zAs, AlxGa1-xAs/GaAswSb1-w/AlzGa1-zAs or AlxGa1-xAs/GayIn1-yAswSb1-w/AlzGa1-zAs may also be provided.
Abstract (fr)
Ce transistor comporte une couche AlxGa1-xAs(ou Alx'In1-x'As) et une couche GayIn1-yAs définissant, au niveau de cette dernière couche, un puits quantique comportant des sous-bandes de type HH. Selon l'invention, l'épaisseur de la couche GayIn1-yAs est choisie de manière que, lorsqu'une tension négative (VG) est appliquée à la grille, il apparaisse dans le puits quantique des sous-bandes HH1, HH2, HH3, ... séparées par une énergie telle que les sous-bandes correspondant aux masses effectives m*h// les plus élevées soient peuplées de trous en concentration notablement inférieure à celle des trous pendant la sous-bande HH1, de manière à créer un régime d'accumulation de trous dans le puits quantique et accroître corrélativement la transconductance du composant. Ceci correspond, pour 25 à 35 % d'indium, à une épaisseur de GayIn1-yAs comprise entre 4 et 6 nm environ ou, pour 25 à 30 % d'indium, à une épaisseur comprise entre 6 et 9 nm. On peut également prévoir, pour améliorer encore les performances, une structure ternaire telle que AlxGa1-xAs/GayIn1-yAs/AlzGa1-zAs, AlxGa1-xAs/GAAswSb1-w/AlzGa1-zAs ou AlxGa1-xAs/GayIn1-yAswSb1-w/AlzGa1-zAs.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 21/338 (2006.01); H01L 27/06 (2006.01); H01L 27/095 (2006.01); H01L 29/06 (2006.01); H01L 29/205 (2006.01); H01L 29/66 (2006.01); H01L 29/778 (2006.01); H01L 29/80 (2006.01); H01L 29/812 (2006.01)
CPC (source: EP)
H01L 27/0605 (2013.01); H01L 29/205 (2013.01); H01L 29/7783 (2013.01); H01L 29/802 (2013.01)
Citation (search report)
See references of WO 9315523A1
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB NL
DOCDB simple family (publication)
WO 9315523 A1 19930805; EP 0623244 A1 19941109; JP H07506461 A 19950713
DOCDB simple family (application)
FR 9300061 W 19930121; EP 93904106 A 19930121; JP 51297293 A 19930121