EP 0627124 A1 19941207 - FET CHIP WITH HEAT-EXTRACTING BRIDGE.
Title (en)
FET CHIP WITH HEAT-EXTRACTING BRIDGE.
Title (de)
FELDEFFEKTTRANSISTOR-SUBSTRAT MIT WÄRMEFÜHRENDER BRÜCKE.
Title (fr)
PUCE A TRANSISTORS A EFFET DE CHAMP AVEC PONT D'EXTRACTION DE CHALEUR.
Publication
Application
Priority
- US 9312495 W 19931221
- US 99482292 A 19921222
Abstract (en)
[origin: WO9415361A1] Semiconductor with field effect transistors therein has a substantial metallic source bridge joining the adjacent FET sources. The source bridge is mounted against a heat extracting support to both support the FET and cool it.
Abstract (fr)
L'invention se rapporte à une puce de semiconducteur dans laquelle sont incorporés des transistors à effet de champ et qui comprend un pont de source essentiellement en métal reliant les sources de transistors à effet de champ adjacentes. Le pont de source est monté contre un support d'extraction de chaleur, qui sert à la fois à soutenir les transistors à effet de champ et à les refroidir.
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 23/36 (2006.01); H01L 21/338 (2006.01); H01L 23/367 (2006.01); H01L 23/538 (2006.01); H01L 29/417 (2006.01); H01L 29/812 (2006.01)
CPC (source: EP)
H01L 23/367 (2013.01); H01L 23/5381 (2013.01); H01L 29/41725 (2013.01); H01L 2924/0002 (2013.01)
Citation (search report)
See references of WO 9415361A1
Designated contracting state (EPC)
DE ES FR GB IT
DOCDB simple family (publication)
WO 9415361 A1 19940707; AU 5985694 A 19940719; AU 668463 B2 19960502; CA 2117460 A1 19940707; EP 0627124 A1 19941207; IL 108151 A0 19940412; JP H07505016 A 19950601
DOCDB simple family (application)
US 9312495 W 19931221; AU 5985694 A 19931221; CA 2117460 A 19931221; EP 94905947 A 19931221; IL 10815193 A 19931222; JP 51541994 A 19931221