Global Patent Index - EP 0889531 A1

EP 0889531 A1 19990107 - MOS-controlled semiconductor device

Title (en)

MOS-controlled semiconductor device

Title (de)

MOS gesteuertes Halbleiterbauelement

Title (fr)

Dispositif semiconducteur controlé MOS

Publication

EP 0889531 A1 19990107 (DE)

Application

EP 98810484 A 19980525

Priority

DE 19727676 A 19970630

Abstract (en)

The MOS-controlled power semiconductor device has trenches for forming emitter fingers (7) and collector fingers (11). Only the emitter fingers have source regions (10). The collector fingers do not have source regions. The collector fingers are provided with a thin, highly-doped layer, which provides a good electrical contact to the cathode. At least one, preferably three or more cathode fingers are arranged between two emitter fingers. Two source regions may be provided per emitter finger.

Abstract (de)

Es wird ein MOS gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement angegeben. Durch Gräben werden Emitterfinger und Kollektorfinger gebildet. Nur die Emitterfinger weisen Sourcegebiete auf. Den Kollektorfingern fehlen diese Gebiete. Die Kollektorfinger sind mit einer dünnen, hochdotierten Schicht ausgestattet sein, die einen guten elektrischen Kontakt zu der Kathode ermöglicht. Zwischen zwei Emitterfingern sind mindestens ein, vorzugsweise mindestens drei, Kathodenfinger angeordnet. <IMAGE>

IPC 1-7

H01L 29/739

IPC 8 full level

H01L 29/78 (2006.01); H01L 29/06 (2006.01); H01L 29/10 (2006.01); H01L 29/739 (2006.01)

CPC (source: EP)

H01L 29/0696 (2013.01); H01L 29/1095 (2013.01); H01L 29/7397 (2013.01)

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE

DOCDB simple family (publication)

EP 0889531 A1 19990107; DE 19727676 A1 19990107; JP H1168107 A 19990309

DOCDB simple family (application)

EP 98810484 A 19980525; DE 19727676 A 19970630; JP 18085398 A 19980626