EP 0889531 A1 19990107 - MOS-controlled semiconductor device
Title (en)
MOS-controlled semiconductor device
Title (de)
MOS gesteuertes Halbleiterbauelement
Title (fr)
Dispositif semiconducteur controlé MOS
Publication
Application
Priority
DE 19727676 A 19970630
Abstract (en)
The MOS-controlled power semiconductor device has trenches for forming emitter fingers (7) and collector fingers (11). Only the emitter fingers have source regions (10). The collector fingers do not have source regions. The collector fingers are provided with a thin, highly-doped layer, which provides a good electrical contact to the cathode. At least one, preferably three or more cathode fingers are arranged between two emitter fingers. Two source regions may be provided per emitter finger.
Abstract (de)
Es wird ein MOS gesteuertes Leistungshalbleiterbauelement angegeben. Durch Gräben werden Emitterfinger und Kollektorfinger gebildet. Nur die Emitterfinger weisen Sourcegebiete auf. Den Kollektorfingern fehlen diese Gebiete. Die Kollektorfinger sind mit einer dünnen, hochdotierten Schicht ausgestattet sein, die einen guten elektrischen Kontakt zu der Kathode ermöglicht. Zwischen zwei Emitterfingern sind mindestens ein, vorzugsweise mindestens drei, Kathodenfinger angeordnet. <IMAGE>
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 29/78 (2006.01); H01L 29/06 (2006.01); H01L 29/10 (2006.01); H01L 29/739 (2006.01)
CPC (source: EP)
H01L 29/0696 (2013.01); H01L 29/1095 (2013.01); H01L 29/7397 (2013.01)
Citation (search report)
- [XAY] US 5585651 A 19961217 - KITAGAWA MITSUHIKO [JP], et al
- [X] EP 0746030 A2 19961204 - SILICONIX INC [US]
- [Y] EP 0746042 A2 19961204 - SILICONIX INC [US]
- [DA] DE 19500588 A1 19960718 - ABB MANAGEMENT AG [CH]
- [A] EP 0536668 A2 19930414 - NIPPON DENSO CO [JP]
- [A] WO 9103078 A1 19910307 - IXYS CORP [US]
- [PX] DE 19722441 A1 19971218 - MITSUBISHI ELECTRIC CORP [JP]
Designated contracting state (EPC)
AT BE CH CY DE DK ES FI FR GB GR IE IT LI LU MC NL PT SE
DOCDB simple family (publication)
EP 0889531 A1 19990107; DE 19727676 A1 19990107; JP H1168107 A 19990309
DOCDB simple family (application)
EP 98810484 A 19980525; DE 19727676 A 19970630; JP 18085398 A 19980626