EP 0976457 B1 20001115 - Method for treating semiconductor material
Title (en)
Method for treating semiconductor material
Title (de)
Verfahren zum Behandeln von Halbleitermaterial
Title (fr)
Procédé de traitement de matériau semiconducteur
Publication
Application
Priority
DE 19834447 A 19980730
Abstract (en)
[origin: EP0976457A1] For the processing of semiconductor materials, such as for the prodn. of solar cells, the semiconductor rods (1) of polycrystalline silicon are in a liquid medium and are subjected to shock waves from an energy converter (4). The energy converter is at a gap of 1-100 cm from the semiconductor rods. The shock waves from an arc between electrodes (8), through an elastic membrane (7), have a pulse energy of 1-20 kJ and a pulse increase time of 1-5 mu s to the max. energy level. The energy converter is a semi-ellipsoid reflector. The working surfaces of the transport and positioning units are of plastics to prevent any soiling of the semiconductor materials. The inner surfaces of the chamber are coated with plastics, where the semiconductor materials are broken down.
Abstract (de)
Verfahren zum Behandeln von Halbleitermaterial bei dem eine oder mehrere mittels eines Energiewandlers erzeugte Schockwellen, in einem flüssigen Medium auf ein stabförmiges Halbleitermaterial übertragen werden, dadurch gekennzeichnet, daß der Energiewandler vom Halbleitermaterial einen Abstand von 1 cm bis 100 cm hat und eine Schockwelle eine Pulsenergie von 1 bis 20 kJ und eine Pulsanstiegszeit bis zum Energiemaximum von 1 bis 5 µs hat. <IMAGE>
IPC 1-7
IPC 8 full level
B02C 19/00 (2006.01); B02C 19/18 (2006.01); B02C 23/36 (2006.01); B28D 5/00 (2006.01); C30B 29/06 (2006.01)
CPC (source: EP US)
B02C 19/18 (2013.01 - EP US); B28D 5/0005 (2013.01 - EP US); B02C 2019/183 (2013.01 - EP US)
Designated contracting state (EPC)
DE IT
DOCDB simple family (publication)
EP 0976457 A1 20000202; EP 0976457 B1 20001115; DE 19834447 A1 20000210; DE 59900015 D1 20001221; JP 2000079350 A 20000321; JP 3180910 B2 20010703; US 6360755 B1 20020326
DOCDB simple family (application)
EP 99113591 A 19990708; DE 19834447 A 19980730; DE 59900015 T 19990708; JP 21248199 A 19990727; US 36246299 A 19990728