EP 1280196 A1 20030129 - Process for bonding electronic devices to substrates
Title (en)
Process for bonding electronic devices to substrates
Title (de)
Verfahren zum Befestigen von elektronischen Bauelementen auf Substraten
Title (fr)
Procédé de fixatoin de dispositifs électroniques sur des substrats
Publication
Application
Priority
EP 01810711 A 20010718
Abstract (en)
A sintering layer (3) is applied on the lower surface of a contact layer (11) of a component for mounting the contact layer (11) on a contact layer (21) of a substrate. The arrangement is compressed at sintering temperature and then introduced into a pressure chamber, for compressing with fluid at raised pressure.
Abstract (de)
Beim Verfahren zum Befestigen von elektronischen Bauelementen auf Substraten durch Drucksintern wird eine aus einem Metallpulver und einem Lösungsmittel bestehende Paste zwischen dem Bauelement und dem Substrat aufgetragen. Nachdem die Paste vollständig getrocknet ist, wird das Bauelement auf das Substrats aufgesetzt. Mehrere solche Anordnungen (4) mit Substrat und Bauelement werden anschliessend bei Sintertemperatur in einer Isostatischen Presse (6) zusammengepresst. Eine grosse Anzahl komplexer und/ oder fragiler Teile können gleichzeitig und mit höchster Präzision Verbunden werden. <IMAGE>
IPC 1-7
IPC 8 full level
H01L 21/52 (2006.01); H01L 21/00 (2006.01); H01L 21/60 (2006.01); H01L 21/603 (2006.01)
CPC (source: EP US)
H01L 21/67092 (2013.01 - EP US); H01L 21/67121 (2013.01 - EP US); H01L 24/29 (2013.01 - EP US); H01L 24/33 (2013.01 - EP US); H01L 24/75 (2013.01 - EP US); H01L 24/83 (2013.01 - EP US); H01L 2224/29339 (2013.01 - EP US); H01L 2224/75315 (2013.01 - EP US); H01L 2224/75317 (2013.01 - EP US); H01L 2224/83101 (2013.01 - EP US); H01L 2224/8319 (2013.01 - EP US); H01L 2224/83801 (2013.01 - EP US); H01L 2224/8384 (2013.01 - EP US); H01L 2924/01004 (2013.01 - EP US); H01L 2924/01005 (2013.01 - EP US); H01L 2924/01006 (2013.01 - EP US); H01L 2924/0102 (2013.01 - EP US); H01L 2924/01033 (2013.01 - EP US); H01L 2924/01042 (2013.01 - EP US); H01L 2924/01047 (2013.01 - EP US); H01L 2924/01082 (2013.01 - EP US); H01L 2924/1301 (2013.01 - EP US); H01L 2924/13055 (2013.01 - EP US)
Citation (search report)
- [X] EP 0460286 A2 19911211 - SIEMENS AG [DE]
- [X] US 5352629 A 19941004 - PAIK KYUNG W [US], et al
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- [A] US 3608809 A 19710928 - HOLBROOK ROBERT
- [DA] EP 0330895 A2 19890906 - SIEMENS AG [DE]
- [DA] US 6250907 B1 20010626 - BERGMAN CARL [SE]
- [A] PATENT ABSTRACTS OF JAPAN vol. 014, no. 108 (E - 0896) 27 February 1990 (1990-02-27)
Designated contracting state (EPC)
DE FR GB
DOCDB simple family (publication)
EP 1280196 A1 20030129; JP 2003068771 A 20030307; US 2003016510 A1 20030123; US 6935556 B2 20050830
DOCDB simple family (application)
EP 01810711 A 20010718; JP 2002209236 A 20020718; US 19263002 A 20020711