Title (en)

Current source circuit

Title (de)

Stromquellenschaltung

Title (fr)

Circuit de source de courant

Publication

EP 1321843 A1 20030625 (DE)

Application

EP 02102824 A 20021219

Priority

DE 10163633 A 20011221

Abstract (en)

Source electrodes for third (3) and fourth (4) metal oxide semiconductor field effect transistors (MOSFETs) link to inputs for a gain control amplifier (7), whose output links to a gate electrode for the fourth MOSFET that is an extended drain MOSFET. A drain electrode and the gate electrode for the fourth MOSFET interlink via a fifth MOSFET (10).

Abstract (de)

Bei einer Stromquellenschaltung, bei welcher ein erster und ein zweiter MOS-Feldeffekttransistor eine Stromspiegelschaltung bilden, wobei dem ersten MOS-Feldeffekttransistor über einen in Kaskode geschalteten dritten MOS-Feldeffekttransistor ein Referenzstrom zuführbar ist und die Drain-Elektrode eines mit dem zweiten MOS-Feldeffekttransistor in Kaskode geschalteten vierten MOS-Feldeffekttransistor einen Ausgang bildet, sind die Source-Elektroden des dritten und des vierten MOS-Feldeffekttransistors an Eingänge eines Regelverstärkers angeschlossen, dessen Ausgang mit der Gate-Elektrode des vierten MOS-Feldeffekttransistors verbunden ist. Der vierte MOS-Feldeffekttransistor ist ein Extended-drain-MOS-Feldeffekttransistor. Die Drain-Elektrode und die Gate-Elektrode des vierten MOS-Feldeffekttransistors sind über einen weiteren MOS-Feldeffekttransistor miteinander verbunden, dessen Gate-Elektrode mit einer Betriebsspannung für die Schaltung beaufschlagt ist. <IMAGE>

IPC 1-7

G05F 3/26; H01L 29/78

IPC 8 full level

G05F 3/26 (2006.01); H03F 3/345 (2006.01)

CPC (source: EP US)

G05F 3/262 (2013.01 - EP US)

Citation (search report)

• [A] US 5612614 A 19970318 - BARRETT JR RAYMOND L [US], et al
• [A] US 5847556 A 19981208 - KOTHANDARAMAN MAKESHWAR [US], et al
• [A] EP 0403195 A1 19901219 - INMOS LTD [GB]
• [A] US 4199733 A 19800422 - SCHADE OTTO H JR [US]

Designated contracting state (EPC)

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DOCDB simple family (publication)

EP 1321843 A1 20030625; EP 1321843 B1 20051214; AT E313109 T1 20051215; DE 10163633 A1 20030710; DE 50205270 D1 20060119; JP 2003223232 A 20030808; JP 4157928 B2 20081001; US 2003117210 A1 20030626; US 6690229 B2 20040210

DOCDB simple family (application)

EP 02102824 A 20021219; AT 02102824 T 20021219; DE 10163633 A 20011221; DE 50205270 T 20021219; JP 2002366385 A 20021218; US 32335202 A 20021218