Global Patent Index - EP 1370716 A4

EP 1370716 A4 20070808 - TANTALUM-SILICON AND NIOBIUM-SILICON SUBSTRATES FOR CAPACITOR ANODES

Title (en)

TANTALUM-SILICON AND NIOBIUM-SILICON SUBSTRATES FOR CAPACITOR ANODES

Title (de)

TANTAL-SILICIUM- UND NIOB-SILICIUM-SUBSTRATE FÜR KONDENSATORANODEN

Title (fr)

SUBSTRAT DE TANTALE-SILICIUM ET DE NIOBIUM-SILICIUM DESTINES A DES ANODES DE CONDENSATEURS

Publication

EP 1370716 A4 20070808 (EN)

Application

EP 02709474 A 20020212

Priority

  • US 0204073 W 20020212
  • US 26837801 P 20010212

Abstract (en)

[origin: WO02064858A1] The allows: Ta-Si, Nb-Si, TaN-Si, NbN-Si and variants are used as enhanced powder anode substrates for electrolytic capacitor anodes (sintered powder masses) with dielectric oxide formation at walls of the internal pores.

IPC 8 full level

C22C 1/04 (2006.01); C22C 1/05 (2006.01); C22C 27/02 (2006.01); C25B 11/04 (2021.01); H01G 9/042 (2006.01); H01G 9/052 (2006.01)

IPC 8 main group level

C25B (2006.01)

CPC (source: EP KR)

C25B 11/04 (2013.01 - KR); H01G 9/042 (2013.01 - EP KR); H01G 9/052 (2013.01 - EP); H01G 9/0525 (2013.01 - EP KR)

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

DE GB PT

DOCDB simple family (publication)

WO 02064858 A1 20020822; AU 2002243956 B2 20070802; BR 0207200 A 20040127; CA 2438246 A1 20020822; CN 1327035 C 20070718; CN 1491298 A 20040421; CZ 20032169 A3 20040317; EP 1370716 A1 20031217; EP 1370716 A4 20070808; IL 157273 A0 20040219; JP 2004518818 A 20040624; KR 20030086593 A 20031110; MX PA03007171 A 20050214; RU 2003127948 A 20050327

DOCDB simple family (application)

US 0204073 W 20020212; AU 2002243956 A 20020212; BR 0207200 A 20020212; CA 2438246 A 20020212; CN 02804876 A 20020212; CZ 20032169 A 20020212; EP 02709474 A 20020212; IL 15727302 A 20020212; JP 2002564166 A 20020212; KR 20037010542 A 20030811; MX PA03007171 A 20020212; RU 2003127948 A 20020212