EP 1434279 A2 20040630 - Light-emitting semiconductor chip and light-emitting semiconductor component and method for the production thereof

Title (en)

Light-emitting semiconductor chip and light-emitting semiconductor component and method for the production thereof

Title (de)

Lichtabstrahlender Halbleiterchip und Lichtabstrahlendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung

Title (fr)

Puce à semi-conducteur luminescente et composant à semi-conducteur luminescent et méthode de fabrication

Publication

EP 1434279 A2 20040630 (DE)

Application

EP 04008349 A 19970626

Priority

DE 19625622 A 19960626
DE 19638667 A 19960920
EP 97931666 A 19970626

Abstract (en)

A light-emitting semiconductor device has (a) a semiconductor body (1) with a layer sequence (7) capable of emitting electromagnetic radiation of a first wavelength range in the UV, blue and/or green region; and (b) a luminescence conversion element which converts radiation of the first wavelength range to radiation of one or more second, different wavelength ranges so that the device emits mixed radiation in the first and second wavelength ranges. Preferably, the luminescence conversion element consists of organic dye molecules in a plastic matrix preferably of silicone, thermoplastic or thermosetting material, especially an epoxide resin or polymethyl methacrylate matrix, and/or an inorganic phosphor (preferably a Ce-doped garnet, especially Ce:YAG) in an epoxide resin or low melting point inorganic glass matrix.

Abstract (de)

Lichtabstrahlender Halbleiterchip (1), der eine Halbleiterschichtenfolge (7) aufweist, die geeignet ist, im Betrieb elektromagnetische Strahlung eines ersten Wellenlängenbereiches auszusenden, der Strahlung zumindest aus dem ultravioletten, blauen oder grünen Spektralbereich umfasst. Auf dem Halbleiterchip ist eine Lumineszenzkonversionsschicht aufgebracht, die für Strahlung des ersten Wellenlängenbereiches zumindest teilweise transparent ist und mindestens einen Leuchtstoff enthält, der eine aus dem ersten Wellenlängenbereich stammende Strahlung in Strahlung eines vom ersten verschiedenen zweiten Wellenlängenbereiches umwandelt, derart, daß das Halbleiterbauelement Mischstrahlung, bestehend aus Strahlung des ersten Wellenlängenbereiches und Strahlung des zweiten Wellenlängenbereiches aussendet. Weiterhin ist ein lichtäbstrahlendes Halbeiterbauelement mit einem solchen Chip und ein Verfahren zu dessen Herstellung angegeben.

IPC 1-7

H01L 33/00

IPC 8 full level

C09K 11/00 (2006.01); C09K 11/08 (2006.01); C09K 11/56 (2006.01); C09K 11/62 (2006.01); C09K 11/77 (2006.01); C09K 11/79 (2006.01); C09K 11/80 (2006.01); F21K 2/00 (2006.01); F21V 9/08 (2006.01); G02F 1/13357 (2006.01); H01L 33/48 (2010.01); H01L 33/50 (2010.01); H01S 5/32 (2006.01); F21Y 101/02 (2006.01); H01L 33/56 (2010.01)

CPC (source: EP KR US)

C09K 11/7718 (2013.01 - EP US); C09K 11/7746 (2013.01 - EP US); C09K 11/7767 (2013.01 - EP US); C09K 11/7769 (2013.01 - EP US); C09K 11/7774 (2013.01 - EP KR US); H01L 33/00 (2013.01 - KR); H01L 33/486 (2013.01 - EP US); H01L 33/50 (2013.01 - EP US); H01L 33/502 (2013.01 - EP US); H01L 33/501 (2013.01 - EP US); H01L 33/56 (2013.01 - EP US); H01L 2224/32245 (2013.01 - EP US); H01L 2224/32257 (2013.01 - EP US); H01L 2224/48091 (2013.01 - EP US); H01L 2224/48247 (2013.01 - EP US); H01L 2224/48257 (2013.01 - EP US); H01L 2224/48465 (2013.01 - EP US); H01L 2224/48472 (2013.01 - EP US); H01L 2224/49107 (2013.01 - EP US); H01L 2224/73265 (2013.01 - EP US); H01L 2224/8592 (2013.01 - EP US); H01L 2924/01021 (2013.01 - EP US); H01L 2924/01079 (2013.01 - EP US); H01L 2924/12041 (2013.01 - EP US); H01L 2924/12044 (2013.01 - EP US); H01L 2924/181 (2013.01 - EP US); H01L 2933/0091 (2013.01 - EP US); Y02B 20/00 (2013.01 - EP US)

C-Set (source: EP US)

Designated contracting state (EPC)

DE ES FR GB PT SE

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