Global Patent Index - EP 1833088 A1

EP 1833088 A1 20070912 - Method of forming a crack-free connection between a heat sink and a substrate plate

Title (en)

Method of forming a crack-free connection between a heat sink and a substrate plate

Title (de)

Verfahren zur Erstellung einer rissarmer Verbindung zwischen einer Wärmesenke und einer Substratplatte

Title (fr)

Procédé de formation d'une connexion sans fissures entre un dissipateur de chaleur et un substrat

Publication

EP 1833088 A1 20070912 (DE)

Application

EP 06004615 A 20060307

Priority

EP 06004615 A 20060307

Abstract (en)

The method involves forming an intermediate layer on a partial area of a predetermined region and on one of two connection contacts under formation of a layer that is connected with the other contact. Intermediate layer material maintains predetermined thermal expansion coefficients, which are selected between thermal expansion coefficients of the contacts. The contacts are connected using welding-, adhesion- or low temperature connection technique. An independent claim is also included for a crack-free, temperature variation resistive connection of connection contacts.

Abstract (de)

Verfahren zum Erstellen einer rißarmen, temperaturwechselfesten Verbindung zwischen zwei Verbindungspartnern unterschiedlicher thermischen Ausdehnungskoeffizienten nämlich Leistungshalbleitersubstraten und Wärmesenkenplatten mit einer in einem Strom heißen Gases aufgespritzten Schicht, wobei das Aufspritzen von eine Verbindungsschicht bildendenden Partikeln auf wenigstens Teilbereiche des zur Verbindung bestimmten Gebietes auf wenigstens einen der Verbindungspartner unter Ausbildung wenigstens einer innig mit dem einen Verbindungspartner verbunden Schicht erfolgt, wobei das Schichtmaterial einen vorbestimmten thermischen Ausdehnungskoeffizienten erhält, der zwischen den thermischen Ausdehnungskoeffizienten der Verbindungspartner gewählt ist, und ein Verbinden der Verbindungspartner mittels Löt-, Klebe- oder Niedertemperaturverbindungstechnik erfolgt; und eine auf diese Weise hergestellte Verbindung.

IPC 8 full level

H01L 23/373 (2006.01); H05K 1/05 (2006.01)

CPC (source: EP)

H01L 23/3735 (2013.01); H01L 24/27 (2013.01); H01L 24/29 (2013.01); H01L 24/83 (2013.01); H05K 3/38 (2013.01); H01L 2224/03505 (2013.01); H01L 2224/29 (2013.01); H01L 2224/29298 (2013.01); H01L 2224/83801 (2013.01); H01L 2224/8384 (2013.01); H01L 2224/8385 (2013.01); H01L 2924/00013 (2013.01); H01L 2924/01004 (2013.01); H01L 2924/01005 (2013.01); H01L 2924/01013 (2013.01); H01L 2924/01019 (2013.01); H01L 2924/0102 (2013.01); H01L 2924/01029 (2013.01); H01L 2924/01042 (2013.01); H01L 2924/01047 (2013.01); H01L 2924/01058 (2013.01); H01L 2924/01074 (2013.01); H05K 1/0306 (2013.01); H05K 3/0061 (2013.01); H05K 2201/068 (2013.01); H05K 2203/1344 (2013.01)

C-Set (source: EP)

  1. H01L 2224/83801 + H01L 2924/00014
  2. H01L 2224/8384 + H01L 2924/00014
  3. H01L 2224/8385 + H01L 2924/00014
  4. H01L 2924/3512 + H01L 2924/00
  5. H01L 2924/00013 + H01L 2224/29099
  6. H01L 2924/00013 + H01L 2224/29199
  7. H01L 2924/00013 + H01L 2224/29299
  8. H01L 2924/00013 + H01L 2224/2929

Citation (applicant)

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

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DOCDB simple family (publication)

EP 1833088 A1 20070912

DOCDB simple family (application)

EP 06004615 A 20060307