Title (en)

Negative-capacitance circuit for high-frequency applications

Title (de)

Negativer kapazitiver Stromkreis für Hochfrequenzanwendungen

Title (fr)

Circuit de capacité négative pour applications hautes fréquences

Publication

EP 1909386 A1 20080409 (FR)

Application

EP 07392005 A 20070816

Priority

FR 0607343 A 20060817

Abstract (en)

The circuit has two branches connected between two reference potentials and respectively including two bias resistors (41, 46), two diodes (42, 47), collectors and emitters of two bipolar transistors (43, 48) in series. The transistor (43) has a base that is connected to the collector of the transistor (48) and to an input (in-). The transistor (48) has a base that is connected to the collector of the transistor (43) and to an input (in+). A capacitor (40) is connected between the emitters. A linearizing resistor (50) is parallely connected between two emitter electrodes of the transistors.

Abstract (fr)

Un circuit de capacité négative comportant : - une première branche connectée entre un premier potentiel de référence (Vdd) et un second potentiel de référence (masse), la première branche comportant, en série, une première résistance de polarisation (41), une première diode (42), le collecteur et ensuite l'émetteur d'un premier transistor bipolaire (43) et une première source de courant (44) ; - une seconde branche connectée entre le premier potentiel de référence (Vdd) et le second potentiel de référence (masse), la seconde branche comportant, en série, une seconde résistance de polarisation (46), une seconde diode (47), le collecteur et ensuite l'émetteur d'un second transistor bipolaire (48) et une seconde source de courant (49) ; - la base du premier transistor (43) étant connectée au collecteur du second transistor (48) et à une entrée In-, la base de ce second transistor (48) étant connectée au collecteur dudit premier transistor (43) et à une entrée ln + ; - une capacité C connectée entre l'émetteur du premier transistor bipolaire (43) et l'émetteur du second transistor bipolaire (48) ; - et une résistance de linéarisation Rlin 50 connectée en parallèle entre les deux électrodes d'émetteur du premier et du second transistor bipolaire.

IPC 8 full level

H03B 5/36 (2006.01)

CPC (source: EP US)

H03B 5/326 (2013.01 - EP US); H03B 5/366 (2013.01 - EP US); H03H 11/481 (2013.01 - EP US)

Citation (applicant)

• SVILEN KOLEV: "IEEE Transactions on microwave theory and techniques", December 2001, article "Usinq a neqative capacitance to increase the tuninq range of a varactor diode in MMIC technology"
• JASON D DREW: "Wideband circuits, modelind and techniques", May 1996, IEE COLLOQUIUM, article "Generation of negative capacitance in a common gate MESFET stage and application to optical receiver desiqn at microwave frequencies"
• JASON D DREW: "Generation of negative capacitance in a common gate MESFET stage and application to optical receiver design at microwave frequencies", WIDEBAND CIRCUITS, MODELIND AND TECHNIQUES, IEE COLLOQUIUM, May 1996 (1996-05-01)

Citation (search report)

• [X] JP H10256830 A 19980925 - SONY CORP
• [A] THANACHAYANONT A ET AL: "Class AB VHF CMOS active inductor", THE 2002 45TH. MIDWEST SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS. CONFERENCE PROCEEDINGS. TULSA, OK, AUG. 4 - 7, 2002, MIDWEST SYMPOSIUM ON CIRCUITS AND SYSTEMS, NEW YORK, NY : IEEE, US, vol. VOL. 1 OF 3, 4 August 2002 (2002-08-04), pages 64 - 67, XP010635150, ISBN: 0-7803-7523-8

Designated contracting state (EPC)

DE FR GB IT

Designated extension state (EPC)

AL BA HR MK RS

DOCDB simple family (publication)

FR 2905041 A1 20080222; EP 1909386 A1 20080409; US 2008088390 A1 20080417; US 7852174 B2 20101214

DOCDB simple family (application)

FR 0607343 A 20060817; EP 07392005 A 20070816; US 84014007 A 20070816