Global Patent Index - EP 2003659 A1

EP 2003659 A1 20081217 - Monolithically integrated inductivity

Title (en)

Monolithically integrated inductivity

Title (de)

Monolithisch integrierte Induktivität

Title (fr)

Induction monolithique intégrée

Publication

EP 2003659 A1 20081217 (DE)

Application

EP 08010431 A 20080609

Priority

DE 102007027612 A 20070612

Abstract (en)

The monolithically integrated coils have two loops with a magnetic coupling between them. The coils are parallely connected with a total inductance for increasing the performance of a monolithically integrated single coil of same inductance. The monolithically integrated coils are used with monolithically integrated capacitive unit for the formation of an oscillating circuit. Independent claims are also included for the following: (1) a method for manufacturing a monolithically integrated inductor (2) a monolithically integrated inductor (3) an integrated oscillating circuit with a monolithically integrated inductor.

Abstract (de)

Monolithisch integrierte Induktivität (10), Verfahren zur Ausbildung und Verwendung zweier monolithisch integrierter Spulen, - mit einer einen ersten Induktivitätswert (L1) aufweisenden ersten Spule (11), - mit mindestens einer parallel zur ersten Spule (11) geschalteten und einen zweiten Induktivitätswert (L2) aufweisenden zweiten Spule (12) zur Bildung einer Gesamtinduktivität (L), und - mit Zuleitungen (13a, 13b) zur ersten Spule (11) und zur zweiten Spule (12), - bei der die erste Spule (11) mindestens zwei in einem Abstand (d) geführte erste Schleifen (11a, 11b) mit einer Bahnbreite (b) aufweist, - die zweiten Spule (12) mindestens zwei in dem Abstand (d) geführte zweite Schleifen (12a, 12b) mit der Bahnbreite (b) aufweist. - bei der die ersten Schleifen (11a, 11b) eine magnetische Kopplung (ÉM) ausbilden, und - bei der die zweiten Schleifen (12a, 12b) eine magnetische Kopplung (ÉM) ausbilden.

IPC 8 full level

H01F 17/00 (2006.01); H01F 27/29 (2006.01)

CPC (source: EP US)

H01F 17/0006 (2013.01 - EP US); H01F 19/04 (2013.01 - EP US); H01F 2017/0073 (2013.01 - EP US)

Citation (applicant)

U. TIETZE; CH. SCHENK: "Halbleiter-Schaltungstechnik", 2002, pages: 1329

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MT NL NO PL PT RO SE SI SK TR

Designated extension state (EPC)

AL BA MK RS

DOCDB simple family (publication)

EP 2003659 A1 20081217; DE 102007027612 A1 20081218; DE 102007027612 B4 20090402; US 2008309429 A1 20081218

DOCDB simple family (application)

EP 08010431 A 20080609; DE 102007027612 A 20070612; US 13840808 A 20080612