EP 2296180 A1 20110316 - Process of stabilisation of germanium nanowires obtained by condensation
Title (en)
Process of stabilisation of germanium nanowires obtained by condensation
Title (de)
Verfahren zur Stabilisation von Nanodrähten aus Germanium erhalten durch Kondensation
Title (fr)
Procédé de stabilisation de nanofils en germanium obtenus par condensation
Publication
Application
Priority
FR 0904321 A 20090910
Abstract (en)
The method involves providing a substrate (2) comprising a silicon layer (3) covered by a target layer (1) made of a silicon-germanium alloy based material and comprising carbon atoms. A suspended beam is formed in the target layer. The suspended beam is thermally oxidized so as to form a nanowire (8) in the place of the suspended beam, by condensation of germanium atoms, where a lattice parameter of the silicon layer is identical to a lattice parameter of a material constituting the suspended beam, in a plane parallel to a main surface of the substrate, after the silicon layer is eliminated.
Abstract (fr)
Le substrat (2) comporte une première couche en silicium, une couche cible (1) en matériau à base d'alliage de silicium-germanium formant un motif tridimensionnel avec des première et seconde zones de maintien et au moins une zone de liaison. La première couche en silicium est contrainte en tension et/ou la couche cible (1) comporte des atomes de carbone. La première couche en silicium est éliminée dans la zone de liaison. La couche cible (1) de la zone de liaison est oxydée thermiquement de manière à former le nanofil (8). Le paramètre de maille de la première couche en silicium est identique au paramètre de maille du matériau constituant la poutre suspendue, après élimination de ladite première couche en silicium.
IPC 8 full level
H01L 29/786 (2006.01); B82Y 10/00 (2011.01); H01L 29/06 (2006.01); H01L 29/423 (2006.01)
CPC (source: EP US)
B82Y 10/00 (2013.01 - EP US); H01L 29/0665 (2013.01 - EP US); H01L 29/42392 (2013.01 - EP US); H01L 29/78696 (2013.01 - EP US)
Citation (search report)
- [YA] WO 2008069765 A1 20080612 - AGENCY SCIENCE TECH & RES [SG], et al
- [A] WO 2009072984 A1 20090611 - AGENCY SCIENCE TECH & RES [SG], et al
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Designated contracting state (EPC)
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BA ME RS
DOCDB simple family (publication)
EP 2296180 A1 20110316; EP 2296180 B1 20130807; FR 2949901 A1 20110311; FR 2949901 B1 20120316; JP 2011057543 A 20110324; US 2011059598 A1 20110310; US 8349667 B2 20130108
DOCDB simple family (application)
EP 10354040 A 20100830; FR 0904321 A 20090910; JP 2010197608 A 20100903; US 87572910 A 20100903