Global Patent Index - EP 2519975 A4

EP 2519975 A4 20130911 - SELF-ALIGNED CONTACTS

Title (en)

SELF-ALIGNED CONTACTS

Title (de)

SELBSTAUSRICHTENDE KONTAKTE

Title (fr)

CONTACTS AUTO-ALIGNÉS

Publication

EP 2519975 A4 20130911 (EN)

Application

EP 10844169 A 20101207

Priority

  • US 65540809 A 20091230
  • US 2010059302 W 20101207

Abstract (en)

[origin: US2011156107A1] A transistor comprises a substrate, a pair of spacers on the substrate, a gate dielectric layer on the substrate and between the pair of spacers, a gate electrode layer on the gate dielectric layer and between the pair of spacers, an insulating cap layer on the gate electrode layer and between the pair of spacers, and a pair of diffusion regions adjacent to the pair of spacers. The insulating cap layer forms an etch stop structure that is self aligned to the gate and prevents the contact etch from exposing the gate electrode, thereby preventing a short between the gate and contact. The insulator-cap layer enables self-aligned contacts, allowing initial patterning of wider contacts that are more robust to patterning limitations.

IPC 8 full level

H01L 29/78 (2006.01); H01L 21/28 (2006.01); H01L 21/336 (2006.01)

CPC (source: CN EP KR US)

H01L 21/28123 (2013.01 - US); H01L 21/28229 (2013.01 - US); H01L 21/28255 (2013.01 - US); H01L 21/283 (2013.01 - US); H01L 21/28562 (2013.01 - US); H01L 21/31105 (2013.01 - US); H01L 21/76802 (2013.01 - US); H01L 21/76831 (2013.01 - CN EP US); H01L 21/76834 (2013.01 - EP); H01L 21/76849 (2013.01 - CN US); H01L 21/76877 (2013.01 - US); H01L 21/76885 (2013.01 - EP); H01L 21/76897 (2013.01 - CN EP KR US); H01L 23/5226 (2013.01 - KR US); H01L 23/528 (2013.01 - KR US); H01L 23/535 (2013.01 - US); H01L 29/0847 (2013.01 - KR US); H01L 29/16 (2013.01 - US); H01L 29/42364 (2013.01 - KR US); H01L 29/456 (2013.01 - US); H01L 29/495 (2013.01 - KR); H01L 29/4966 (2013.01 - EP KR US); H01L 29/512 (2013.01 - KR US); H01L 29/517 (2013.01 - KR US); H01L 29/518 (2013.01 - KR US); H01L 29/66477 (2013.01 - KR US); H01L 29/665 (2013.01 - US); H01L 29/6653 (2013.01 - EP); H01L 29/66545 (2013.01 - CN EP US); H01L 29/6656 (2013.01 - CN EP US); H01L 29/78 (2013.01 - CN US); H01L 29/785 (2013.01 - CN US); H01L 29/495 (2013.01 - CN EP US); H01L 29/4966 (2013.01 - CN); H01L 2029/7858 (2013.01 - US); H01L 2924/0002 (2013.01 - EP US)

C-Set (source: EP US)

H01L 2924/0002 + H01L 2924/00

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

DOCDB simple family (publication)

US 2011156107 A1 20110630; US 8436404 B2 20130507; CN 102640291 A 20120815; CN 102640291 B 20150506; CN 104795444 A 20150722; CN 104795444 B 20180522; EP 2519975 A2 20121107; EP 2519975 A4 20130911; EP 2519975 B1 20180509; EP 3096357 A1 20161123; EP 3096357 B1 20240313; EP 3312888 A2 20180425; EP 3312888 A3 20180704; EP 3506366 A1 20190703; EP 4033543 A1 20220727; HK 1173851 A1 20130524; JP 2013516083 A 20130509; JP 2014158050 A 20140828; JP 2016028462 A 20160225; JP 2017118134 A 20170629; JP 2018006779 A 20180111; JP 2019050415 A 20190328; JP 5539538 B2 20140702; JP 6109781 B2 20170405; JP 6306231 B2 20180404; JP 6605554 B2 20191113; JP 6746664 B2 20200826; KR 101459198 B1 20141107; KR 101510032 B1 20150408; KR 101510034 B1 20150408; KR 101625811 B1 20160530; KR 101685886 B1 20161212; KR 101778717 B1 20170914; KR 101987928 B1 20190611; KR 102033275 B1 20191016; KR 102115127 B1 20200525; KR 102254439 B1 20210520; KR 102302712 B1 20210915; KR 102432086 B1 20220811; KR 20120089357 A 20120809; KR 20130112962 A 20131014; KR 20130140231 A 20131223; KR 20140119201 A 20141008; KR 20150080635 A 20150709; KR 20160022936 A 20160302; KR 20160138584 A 20161205; KR 20170105645 A 20170919; KR 20180108872 A 20181004; KR 20180136571 A 20181224; KR 20190065488 A 20190611; KR 20200055148 A 20200520; KR 20210000325 A 20210104; KR 20210059019 A 20210524; KR 20210116684 A 20210927; TW 201131771 A 20110916; TW 201633544 A 20160916; TW 201742251 A 20171201; TW 201804618 A 20180201; TW 201907568 A 20190216; TW I518904 B 20160121; TW I590453 B 20170701; TW I632680 B 20180811; TW I641140 B 20181111; TW I666772 B 20190721; US 10141226 B2 20181127; US 10629483 B2 20200421; US 10930557 B2 20210223; US 11600524 B2 20230307; US 11887891 B2 20240130; US 2013178033 A1 20130711; US 2014151817 A1 20140605; US 2015270216 A1 20150924; US 2016155815 A1 20160602; US 2017040218 A1 20170209; US 2018096891 A1 20180405; US 2019051558 A1 20190214; US 2020251387 A1 20200806; US 2021134673 A1 20210506; US 2023154793 A1 20230518; US 2024030067 A1 20240125; US 9054178 B2 20150609; US 9093513 B2 20150728; US 9466565 B2 20161011; US 9508821 B2 20161129; US 9892967 B2 20180213; WO 2011090571 A2 20110728; WO 2011090571 A3 20111117

DOCDB simple family (application)

US 65540809 A 20091230; CN 201080054553 A 20101207; CN 201510084707 A 20101207; EP 10844169 A 20101207; EP 16172290 A 20101207; EP 17201192 A 20101207; EP 19152329 A 20101207; EP 22161202 A 20101207; HK 13100996 A 20130123; JP 2012547095 A 20101207; JP 2014093489 A 20140430; JP 2015232164 A 20151127; JP 2017025499 A 20170215; JP 2017195735 A 20171006; JP 2018220316 A 20181126; KR 20127016899 A 20101207; KR 20137024989 A 20101207; KR 20137033304 A 20101207; KR 20147025871 A 20101207; KR 20157016332 A 20101207; KR 20167003449 A 20101207; KR 20167032674 A 20101207; KR 20177025380 A 20101207; KR 20187027315 A 20101207; KR 20187036157 A 20101207; KR 20197016116 A 20101207; KR 20207013406 A 20101207; KR 20207037113 A 20101207; KR 20217014516 A 20101207; KR 20217029038 A 20101207; TW 104143854 A 20101214; TW 106112596 A 20101214; TW 106134564 A 20101214; TW 107127791 A 20101214; TW 99143705 A 20101214; US 2010059302 W 20101207; US 201313786372 A 20130305; US 201414174822 A 20140206; US 201514731363 A 20150604; US 201514998092 A 20151223; US 201615299106 A 20161020; US 201715827491 A 20171130; US 201816162186 A 20181016; US 202016819590 A 20200316; US 202117147423 A 20210112; US 202318098029 A 20230117; US 202318374976 A 20230929