EP 2644740 A2 20131002 - Method for producing a thin coating on a substrate
Title (en)
Method for producing a thin coating on a substrate
Title (de)
Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht auf einem Substrat
Title (fr)
Procédé destiné à la fabrication d'une couche mince sur un substrat
Publication
Application
Priority
DE 102012204853 A 20120327
Abstract (en)
The method involves coupling a substrate (2) with a front team device such that the substrate is isotropic stretched with the team device. The substrate is held resilient with a predetermined bias. A thin layer material is separated on the substrate under action of heat so that a thin layer with the thin layer material is formed on the substrate. The substrate is decoupled from team device. The thin layer accompanied by the shrinkage is cooled. The predetermined bias is set high to prevent appearance of tensile stress in the thin layer accompanied by the shrinkage.
Abstract (de)
Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Herstellen einer Dünnschicht (6) auf einem Substrat (2) mit den Schritten: Koppeln des Substrats (2) mit einer Vorspanneinrichtung (1, 3) derart, dass das Substrat (2) mit der Vorspanneinrichtung (1, 3) isotrop in der Fläche gedehnt wird, wobei das Substrat (2) mit einer vorherbestimmten Vorspannung elastisch unter Zug gehalten wird; Abscheiden eines Dünnschichtmaterials auf das Substrat (2) mit einem Abscheideverfahren, bei dem unter Einwirkung von Wärme auf das Dünnschichtmaterial dieses auf dem Substrat (2) abgeschieden wird, so dass auf dem Substrat (2) eine Dünnschicht (6) mit dem Dünnschichtmaterial ausgebildet wird; Entkoppeln des Substrats (2) von der Vorspanneinrichtung (1, 3); Abkühlen der Dünnschicht (6) begleitet von einer Schrumpfung, wobei die vorherbestimmte Vorspannung mindestens so hoch ist, dass bei der Schrumpfung das Auftreten einer Zugspannung in der Dünnschicht (6) stets unterbunden ist.
IPC 8 full level
C23C 14/08 (2006.01); C23C 14/50 (2006.01); C23C 14/54 (2006.01); H01L 21/302 (2006.01); H01L 21/316 (2006.01); H01L 41/053 (2006.01); H01L 41/187 (2006.01); H01L 41/257 (2013.01); H01L 41/314 (2013.01); H01L 41/316 (2013.01)
CPC (source: EP US)
C23C 14/083 (2013.01 - EP US); C23C 14/50 (2013.01 - EP US); C23C 14/541 (2013.01 - EP US); C23C 16/40 (2013.01 - US); H10N 30/045 (2023.02 - EP US); H10N 30/076 (2023.02 - EP US); H10N 30/886 (2023.02 - EP US); H10N 30/8554 (2023.02 - EP US)
Designated contracting state (EPC)
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Designated extension state (EPC)
BA ME
DOCDB simple family (publication)
EP 2644740 A2 20131002; EP 2644740 A3 20160113; DE 102012204853 A1 20131002; US 2013260026 A1 20131003
DOCDB simple family (application)
EP 13158683 A 20130312; DE 102012204853 A 20120327; US 201313851143 A 20130327