Global Patent Index - EP 2719663 A1

EP 2719663 A1 20140416 - PROCESS FOR DEPOSITION OF POLYCRYSTALLINE SILICON

Title (en)

PROCESS FOR DEPOSITION OF POLYCRYSTALLINE SILICON

Title (de)

VERFAHREN ZUR ABSCHEIDUNG VON POLYKRISTALLINEM SILIZIUM

Title (fr)

PROCÉDÉ DE DÉPOSITION DE SILICIUM POLYCRISTALLIN

Publication

EP 2719663 A1 20140416 (DE)

Application

EP 13187018 A 20131002

Priority

DE 102012218747 A 20121015

Abstract (en)

Depositing polycrystalline silicon, comprises introducing a reaction gas comprising a silicon containing component and hydrogen into a reactor, depositing polycrystalline silicon in the form of rods, introducing a silicon or silicon-containing compounds acting gas into the reactor, circulating silicon or silicon-containing compounds attacking gas around the polycrystalline rods and an inner wall of reactor to assist in the formed deposit, and adhering silicon-containing particles to the inner wall of the reactor or on the polycrystalline silicon rods before removing the rods from the reactor. Deposition of polycrystalline silicon, comprises introducing a reaction gas comprising a silicon containing component and hydrogen into a reactor, depositing polycrystalline silicon in the form of rods, introducing a silicon or silicon-containing compounds acting gas into the reactor, circulating silicon or silicon-containing compounds attacking gas around the polycrystalline rods and an inner wall of reactor to assist in the formed deposit, and adhering silicon-containing particles to the inner wall of the reactor or on the polycrystalline silicon rods before removing the polycrystalline silicon rods from the reactor.

Abstract (de)

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Abscheidung von polykristallinem Silicium, umfassend Einleiten eines Reaktionsgases enthaltend eine Silicium enthaltende Komponente und Wasserstoff in einen Reaktor, wodurch polykristallines Silicium in Form von Stäben abgeschieden wird, dadurch gekennzeichnet, dass nach Beendigung der Abscheidung ein Silicium oder siliciumhaltige Verbindungen angreifendes Gas in den Reaktor geleitet wird, das die polykristallinen Stäbe und eine Reaktorinnenwand umströmt, um bei der Abscheidung gebildete, an der Reaktorinnenwand oder an den polykristallinen Siliciumstäben anhaftende Siliciumpartikel aufzulösen, bevor die polykristallinen Siliciumstäbe aus dem Reaktor entnommen werden.

IPC 8 full level

C01B 33/035 (2006.01)

CPC (source: EP US)

C01B 33/027 (2013.01 - US); C01B 33/035 (2013.01 - EP US)

Citation (applicant)

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

Designated extension state (EPC)

BA ME

DOCDB simple family (publication)

EP 2719663 A1 20140416; EP 2719663 B1 20160330; CA 2824088 A1 20140415; CA 2824088 C 20150630; CN 103723732 A 20140416; CN 103723732 B 20160120; DE 102012218747 A1 20140417; ES 2577408 T3 20160714; JP 2014080352 A 20140508; JP 5684345 B2 20150311; KR 20140048034 A 20140423; TW 201414673 A 20140416; TW I494273 B 20150801; US 2014105806 A1 20140417

DOCDB simple family (application)

EP 13187018 A 20131002; CA 2824088 A 20130815; CN 201310414982 A 20130912; DE 102012218747 A 20121015; ES 13187018 T 20131002; JP 2013170952 A 20130821; KR 20130108931 A 20130911; TW 102129637 A 20130819; US 201314032261 A 20130920