EP 2743659 A1 20140618 - Method for manufacturing an infrared detection device
Title (en)
Method for manufacturing an infrared detection device
Title (de)
Verfahren zur Umsetzung einer Infraroterfassungsvorrichtung
Title (fr)
Procédé de réalisation d'un dispositif de détection infrarouge
Publication
Application
Priority
FR 1262153 A 20121217
Abstract (en)
The device has a thermal infrared detector (57) e.g. micro-bolometer, connected to a reading circuit by a first electrically conductive via (30). An electric contact (41) is connected to the circuit by second electrically conductive via (31). The detector and the contact are spaced from an etch stop layer (32) at an equal non-zero distance relative to each other. The vias are connected to portions of a metal line of a penultimate level of electric interconnections. An empty space (16) is formed in a sacrificial layer surrounding the former conducting via and extends under the detector. An independent claim is also included for a method for producing an Infrared detection device.
Abstract (fr)
Dispositif de détection infrarouge (100), comportant : - un circuit électronique de lecture réalisé sur et/ou dans un premier substrat semi-conducteur, et sur lequel sont disposés plusieurs niveaux d'interconnexions (14) ; - une couche d'arrêt de gravure (32) disposée entre le dernier et un avant-dernier niveau d'interconnexions ; - un détecteur thermique infrarouge (57) relié au circuit par un premier via conducteur (30) du dernier niveau d'interconnexions; - un plot de connexion (41) formé par le dernier niveau d'interconnexions, relié au circuit par un deuxième via conducteur (31) du dernier niveau d'interconnexions; dans lequel le détecteur et le plot de connexion sont espacés de la couche d'arrêt d'une même distance, dans lequel les vias conducteurs sont reliés à une ligne métallique d'un avant-dernier niveau d'interconnexions, et un espace vide (16) entoure le premier via conducteur et s'étend sous le détecteur.
IPC 8 full level
G01J 5/20 (2006.01)
CPC (source: EP US)
G01J 5/024 (2013.01 - US); G01J 5/20 (2013.01 - EP US); H01L 31/18 (2013.01 - US); G01J 2005/106 (2013.01 - US)
Citation (applicant)
- US 5912464 A 19990615 - VILAIN MICHEL [FR], et al
- FR 1156461 A 19580516 - SPERRY RAND CORP
- US 6753526 B2 20040622 - VILAIN MICHEL [FR]
- US 5895233 A 19990420 - HIGASHI ROBERT E [US], et al
- D. TAKAMURO ET AL.: "Development of new SOI diode structure for beyond 17¡.lm pixel pitch SOI diode uncooled IRFPAs", PROC. SPIE, vol. 8012, 2011, XP007921960
- A. LAPADATU ET AL.: "High performance long wave infrared bolometer fabricated by wafer bonding", PROC. SPIE, vol. 7660, 2010, XP007921961, DOI: doi:10.1117/12.852526
Citation (search report)
- [XYI] DE 10058864 A1 20020606 - SIEMENS AG [DE], et al
- [A] WO 2012015965 A1 20120202 - FLIR SYSTEMS [US], et al
- [Y] US 2012213245 A1 20120823 - NODA TAKAFUMI [JP]
- [Y] US 2008237469 A1 20081002 - ODA NAOKI [JP], et al
- [Y] EP 1243903 A2 20020925 - COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE [FR]
- [Y] ADRIANA LAPADATU ET AL: "High-performance long wave infrared bolometer fabricated by wafer bonding", PROCEEDINGS OF SPIE, S P I E - INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, US, vol. 7660, 5 April 2010 (2010-04-05), pages 766016 - 1, XP007921961, ISSN: 0277-786X
Designated contracting state (EPC)
AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR
Designated extension state (EPC)
BA ME
DOCDB simple family (publication)
EP 2743659 A1 20140618; FR 2999805 A1 20140620; FR 2999805 B1 20171222; JP 2014119461 A 20140630; JP 6362323 B2 20180725; US 2014319350 A1 20141030; US 9389125 B2 20160712
DOCDB simple family (application)
EP 13197327 A 20131216; FR 1262153 A 20121217; JP 2013259984 A 20131217; US 201314107106 A 20131216