Global Patent Index - EP 2746222 A1

EP 2746222 A1 20140625 - PROCESS FOR CONVERTING SILICON TETRACHLORIDE TO TRICHLOROSILANE

Title (en)

PROCESS FOR CONVERTING SILICON TETRACHLORIDE TO TRICHLOROSILANE

Title (de)

VERFAHREN ZUR KONVERTIERUNG VON SILICIUMTETRACHLORID IN TRICHLORSILAN

Title (fr)

PROCÉDÉ DE CONVERSION DE TÉTRACHLORURE DE SILICIUM EN TRICHLOROSILANE

Publication

EP 2746222 A1 20140625 (DE)

Application

EP 13195798 A 20131205

Priority

DE 102012223784 A 20121219

Abstract (en)

Converting silicon tetrachloride (STC) to trichlorosilane (TCS), comprises introducing reactant gas comprising STC and hydrogen into a reaction zone of a reactor in which a temperature is 1000-1600[deg] C. The reaction zone is heated by a heater located outside the reaction zone and a product gas comprising TCS which forms is then cooled. The product gas is cooled to a temperature of 700-900[deg] C within 0.1-35 ms. The reactant gas is heated by the product gas using a heat exchanger working in countercurrent. Converting silicon tetrachloride (STC) to trichlorosilane (TCS), comprises introducing reactant gas comprising STC and hydrogen into a reaction zone of a reactor in which a temperature is 1000-1600[deg] C. The reaction zone is heated by a heater located outside the reaction zone and a product gas comprising TCS which forms is then cooled. The product gas is cooled to a temperature of 700-900[deg] C within 0.1-35 ms. The reactant gas is heated by the product gas using a heat exchanger working in countercurrent. The reactor and the heat exchanger form a single, gas-tight component comprising at least one ceramic material consisting of silicon carbide, silicon nitride, graphite, SiC-coated graphite and quartz glass.

Abstract (de)

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zur Konvertierung von STC in TCS, durch Einbringen von Eduktgas enthaltend STC und Wasserstoff in eine Reaktionszone eines Reaktors, in der die Temperatur 1000-1600°C beträgt, wobei die Reaktionszone durch eine außerhalb der Reaktionszone befindliche Heizung erwärmt wird und das entstehende Produktgas enthaltend TCS anschließend abgekühlt wird, unter der Maßgabe, dass innerhalb von 0,1 - 35 ms auf eine Temperatur von 700-900°C abgekühlt wird, wobei das Eduktgas mittels eines Wärmetauschers nach dem Gegenstromprinzip durch das Produktgas erwärmt wird, wobei Reaktor und Wärmetauscher ein einzelnes, gasdichtes Werkstück bilden, wobei das Werkstück aus einem oder mehreren keramischen Materialien ausgewählt aus der Gruppe bestehend aus Siliziumkarbid, Siliziumnitrid, Graphit, mit SiC beschichtetem Graphit und Quarzglas besteht.

IPC 8 full level

C01B 33/107 (2006.01)

CPC (source: EP US)

C01B 33/1071 (2013.01 - EP US)

Citation (applicant)

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

Designated extension state (EPC)

BA ME

DOCDB simple family (publication)

EP 2746222 A1 20140625; EP 2746222 B1 20161012; CA 2836964 A1 20140619; CA 2836964 C 20160531; CN 103880011 A 20140625; CN 103880011 B 20160629; DE 102012223784 A1 20140626; ES 2609485 T3 20170420; JP 2014129219 A 20140710; JP 5826812 B2 20151202; KR 101572905 B1 20151130; KR 20140079711 A 20140627; MY 183991 A 20210317; TW 201425223 A 20140701; TW I501924 B 20151001; US 2014170050 A1 20140619; US 9776878 B2 20171003

DOCDB simple family (application)

EP 13195798 A 20131205; CA 2836964 A 20131218; CN 201310651564 A 20131204; DE 102012223784 A 20121219; ES 13195798 T 20131205; JP 2013230005 A 20131106; KR 20130151225 A 20131206; MY PI2013004072 A 20131111; TW 102140250 A 20131106; US 201314096612 A 20131204