EP 2789596 A1 20141015 - Production of high purity, dense silicon carbide sintered body and sintered body obtained in such a manner
Title (en)
Production of high purity, dense silicon carbide sintered body and sintered body obtained in such a manner
Title (de)
Herstellung hochreiner, dichter Siliziumcarbid-Sinterkörper und so erhältliche Sinterkörper
Title (fr)
Fabrication d'un corps fritté en carbure de silicium dense à pureté élevée, et corps fritté ainsi obtenu
Publication
Application
Priority
DE 102013006118 A 20130410
Abstract (de)
Verfahren zur Herstellung eines keramischen Sinterkörpers auf Basis von Siliziumcarbid durch Herstellung eines Gemischs aus Siliziumcarbid-Pulver und mindestens 45 Gew.-% pulverförmigem pyrolysiertem siliziumorganischem Polymer ("Black Glass") und druckunterstütztem Verdichten des Gemischs bei Temperaturen von 1200°C bis 2500°C in inerter Atmosphäre oder im Vakuum, sowie so erhältliche keramische Sinterkörper, die sich insbesondere dadurch auszeichnen, dass sie mindestens eine kristalline Siliziumcarbid-Phase und eine amorphe Phase, die aus den Elementen Silizium, Kohlenstoff, Sauerstoff und gegebenenfalls Stickstoff aufgebaut ist, sowie eine Dichte von mindestens 93% der theoretischen Dichte, bestimmt mittels Wasserverdrängungsverfahren nach Archimedes, aufweisen, wobei der Anteil an kristalliner Siliziumcarbid-Phase mindestens 25 Gew.-% und der Gehalt an anderen Elementen als Silizium, Kohlenstoff, Sauerstoff und Stickstoff vorzugsweise ‰¤ 150 ppm beträgt.
IPC 8 full level
C04B 35/575 (2006.01); C04B 35/571 (2006.01)
CPC (source: EP)
C04B 35/571 (2013.01); C04B 35/575 (2013.01); C04B 35/5755 (2013.01); C04B 2235/383 (2013.01); C04B 2235/3834 (2013.01); C04B 2235/483 (2013.01); C04B 2235/5409 (2013.01); C04B 2235/5436 (2013.01); C04B 2235/666 (2013.01); C04B 2235/72 (2013.01); C04B 2235/762 (2013.01); C04B 2235/767 (2013.01); C04B 2235/77 (2013.01); C04B 2235/80 (2013.01); C04B 2235/96 (2013.01)
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DE 102013006118 A 20130410; EP 14001173 A 20140328