Global Patent Index - EP 3001447 A1

EP 3001447 A1 20160330 - METHOD FOR ACTIVATING DOPANTS IN A GAN SEMICONDUCTOR LAYER BY CONSECUTIVE IMPLANTATIONS AND HEAT TREATMENTS

Title (en)

METHOD FOR ACTIVATING DOPANTS IN A GAN SEMICONDUCTOR LAYER BY CONSECUTIVE IMPLANTATIONS AND HEAT TREATMENTS

Title (de)

VERFAHREN ZUR AKTIVIERUNG VON DOTIERMITTELN IN EINER HALBLEITERSCHICHT AUF GAN-BASIS DURCH IMPLANTATION, UND DARAUF FOLGENDE WÄRMEBEHANDLUNGEN

Title (fr)

PROCÉDÉ D'ACTIVATION DE DOPANTS DANS UNE COUCHE SEMI-CONDUCTRICE À BASE DE GAN PAR IMPLANTATIONS ET TRAITEMENTS THERMIQUES SUCCESSIFS

Publication

EP 3001447 A1 20160330 (FR)

Application

EP 15184344 A 20150908

Priority

FR 1459131 A 20140926

Abstract (en)

[origin: US2016093495A1] The method for performing activation of n-type or p-type dopants in a GaN-base semiconductor includes the following steps: providing a substrate including a GaN-base semiconductor material layer, performing the following successive steps at least twice: implanting electric dopant impurities in the semiconductor material layer, performing heat treatment so as to activate the electric dopant impurities in the semiconductor material layer, a cap layer covering the semiconductor material layer when the heat treatment is performed, two implantation steps of electric dopant impurities being separated by a heat treatment step.

Abstract (fr)

Le procédé d'activation de dopants de type n ou p dans un semi-conducteur à base de GaN comporte les étapes suivantes : €¢ prévoir un substrat (1) comprenant une couche en matériau semi-conducteur (1 b) à base de GaN, €¢ réaliser au moins deux fois les étapes successives suivantes : o implanter des impuretés dopantes électriques (3) dans la couche en matériau semi-conducteur (1 b), o réaliser un traitement thermique de manière à activer les impuretés dopantes électriques (3) dans la couche en matériau semi-conducteur (1 b), une couche de protection (2) recouvrant la couche en matériau semi-conducteur (1 b) lors du traitement thermique, deux étapes d'implantation d'impuretés dopantes électriques (3) étant séparées par une étape de traitement thermique.

IPC 8 full level

H01L 21/265 (2006.01); H01L 21/324 (2006.01); H01L 29/20 (2006.01)

CPC (source: EP US)

H01L 21/26546 (2013.01 - EP US); H01L 21/26553 (2013.01 - EP US); H01L 21/324 (2013.01 - US); H01L 21/3245 (2013.01 - EP US); H01L 29/2003 (2013.01 - EP US); H01L 29/207 (2013.01 - US)

Citation (applicant)

S. POROWSKI ET AL.: "Annealing of GaN under high pressure of nitrogen", JOURNAL OF PHYSICS : CONDENSED MATTER, vol. 14, 2002

Citation (search report)

  • [Y] US 2012068188 A1 20120322 - FEIGELSON BORIS N [US], et al
  • [A] WO 8201619 A1 19820513 - HUGHES AIRCRAFT CO [US]
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Designated contracting state (EPC)

AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

Designated extension state (EPC)

BA ME

DOCDB simple family (publication)

EP 3001447 A1 20160330; EP 3001447 B1 20191002; FR 3026555 A1 20160401; JP 2016072627 A 20160509; JP 6696751 B2 20200520; US 2016093495 A1 20160331; US 9536741 B2 20170103

DOCDB simple family (application)

EP 15184344 A 20150908; FR 1459131 A 20140926; JP 2015187787 A 20150925; US 201514846376 A 20150904