Global Patent Index - EP 3208854 A1

EP 3208854 A1 20170823 - PHOTODIODE STRUCTURE, COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD OF A PHOTODIODE STRUCTURE

Title (en)

PHOTODIODE STRUCTURE, COMPONENT AND MANUFACTURING METHOD OF A PHOTODIODE STRUCTURE

Title (de)

PHOTODIODENSTRUKTUR, BESTANDTEIL UND HERSTELLUNGSVERFAHREN EINER SOLCHEN PHOTODIODENSTRUKTUR

Title (fr)

STRUCTURE DE TYPE PHOTODIODE, COMPOSANT ET PROCÉDÉ DE FABRICATION D'UNE STRUCTURE

Publication

EP 3208854 A1 20170823 (FR)

Application

EP 17156133 A 20170214

Priority

FR 1600270 A 20160218

Abstract (en)

[origin: US2017244001A1] The invention relates to a photo bode type structure (comprising: a support (100) including at least one semiconductor layer, the semiconductor layer (120) including of a first semiconductor zone (10) of a first type of conductivity and a mesa (130) in contact with the semiconductor layer (120). The mesa (130) includes of a second semiconductor zone (20), known as absorption zone, said second semiconductor zone (20) being of a second type of conductivity. The second semiconductor zone has a concentration of majority carriers such that the second semiconductor zone (30) is depleted in the absence of polarization of the structure (1). The structure (1) further comprises a third semiconductor zone (30) of the second type of conductivity made of a third material transparent in the absorbed wavelength range. The third semiconductor zone (30) is interposed between the first and the second semiconductor zones (10, 20) while being at least partially arranged in the semiconductor layer (120). The invention also relates to component and a method for manufacturing such a structure (1).

Abstract (fr)

L'invention concerne une structure (1) du type photodiode comportant : un support (100) comprenant au moins une couche semiconductrice, la couche semiconductrice (120) comprenant une première zone semiconductrice (10) d'un premier type de conductivité et, une mésa (130) en contact avec la couche semiconductrice (120). La mésa (130) comprend une deuxième zone semiconductrice (20), dite d'absorption, ladite deuxième zone semiconductrice (20) étant d'un deuxième type de conductivité. La deuxième zone semiconductrice présente une concentration en porteurs majoritaires telle que la deuxième zone semiconductrice (20) soit déplétée en l'absence de polarisation de la structure (1). La structure (1) comporte en outre une troisième zone semiconductrice (30) du deuxième type de conductivité réalisée dans un troisième matériau transparent dans la gamme de longueurs d'onde absorbée. La troisième zone (30) semiconductrice s'interpose entre la première et la deuxième zone semiconductrice (10, 20) en étant au moins partiellement agencée dans la couche semiconductrice (120). L'invention concerne également un composant et un procédé de fabrication d'une telle structure (1).

IPC 8 full level

H01L 31/0296 (2006.01); H01L 31/0352 (2006.01); H01L 31/103 (2006.01); H01L 31/18 (2006.01)

CPC (source: EP IL US)

H01L 31/02161 (2013.01 - IL US); H01L 31/0224 (2013.01 - IL); H01L 31/022408 (2013.01 - US); H01L 31/02966 (2013.01 - EP IL US); H01L 31/035281 (2013.01 - US); H01L 31/03529 (2013.01 - EP US); H01L 31/1032 (2013.01 - EP US); H01L 31/1035 (2013.01 - EP US); H01L 31/1832 (2013.01 - EP US); Y02E 10/50 (2013.01 - US)

Citation (applicant)

  • US 2015303320 A1 20151022 - BOULARD FRANCOIS [FR], et al
  • K. JÓIWIKOWSKI, JOURNAL OF ELECTRONIC MATERIALS, vol. 38, no. 8, 24 March 2009 (2009-03-24), pages 1666 - 1676

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

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Designated extension state (EPC)

BA ME

DOCDB simple family (publication)

EP 3208854 A1 20170823; FR 3048126 A1 20170825; FR 3048126 B1 20180309; IL 250625 A0 20170330; IL 250625 B 20210228; US 10141470 B2 20181127; US 2017244001 A1 20170824

DOCDB simple family (application)

EP 17156133 A 20170214; FR 1600270 A 20160218; IL 25062517 A 20170215; US 201715433782 A 20170215