Title (en)

SEMICONDUCTOR MODULE MANUFACTURING METHOD AND SEMICONDUCTOR MODULE

Title (de)

HALBLEITERBAUELEMENTHERSTELLUNGSVERFAHREN UND HALBLEITERBAUELEMENT

Title (fr)

PROCÉDÉ DE FABRICATION DE COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR ET COMPOSANT SEMI-CONDUCTEUR

Publication

EP 3570319 A1 20191120 (DE)

Application

EP 19000216 A 20190506

Priority

DE 102018003982 A 20180517

Abstract (en)

[origin: JP2019201209A] To provide a method for manufacturing a semiconductor constituent element.SOLUTION: A semiconductor constituent element comprises a substrate layer having a group III-V material or germanium, the substrate layer is arranged on the bottom surface or in the vicinity thereof, each one of first semiconductor layer of a first conductivity type is arranged on the substrate layer, at least one second semiconductor layer of a second conductivity type is arranged on the first semiconductor layer, the two semiconductor layers have group III-V material, two conductivity types are different from each other, a scribe frame having a width B1 is formed on the top surface of partially finished semiconductor product between directly adjacent two semiconductor constituent elements, the semiconductor constituent elements are individualized along the scribe frame, a mask layer which covers the semiconductor constituent elements and exposes at least a part of the scribe frame is deposited on the top surface of the partially finished semiconductor product, before individualization, and after deposition of the mask layer, ion implantation is executed for at least making the frame partially amorphous and/or insulation separation.SELECTED DRAWING: Figure 1

Abstract (de)

Halbleiterbaueelementherstellungsverfahren, wobei ein Halbleiterhalbzeug mit einer Oberseite und einer Unterseite bereitgestellt wird, umfassend eine Vielzahl von zueinander benachbarten stapelförmig ausgebildeten Halbleiterbauelemente wobei die Halbleiterbauelemente jeweils eine Substratschicht mit einem III-V Material oder mit Germanium aufweist und die Substratschicht an oder in der Nähe der Unterseite angeordnet ist, auf der Substratschicht jeweils eine erste Halbleiterschicht von einem ersten Leitfähigkeitstyp angeordnet und auf der ersten Halbleiterschicht mindestens eine zweite Halbleiterschicht von einem zweiten Leitfähigkeitstyp angeordnet ist, wobei die beiden Halbleiterschichten ein III-V Material umfassen oder aus einem III-V Material bestehen und die beiden Leitfähigkeitstypen unterschiedlich sind, und zwischen zwei unmittelbar benachbarten Halbleiterbauelemente auf der Oberseite des Halbleiterhalbzeugs ein Ritzrahmen mit einer Breite L1 ausgebildet wird, und die Halbleiterbauelemente entlang des Ritzrahmen vereinzelt werden, und auf der Oberseite des Halbleiterhalbzeugs vor dem Vereinzeln eine die Halbleiterbauelemente bedeckende und wenigstens einen Teil des Ritzrahmens freilassende Maskenschicht aufgebracht wird.

IPC 8 full level

H01L 21/763 (2006.01); H01L 21/78 (2006.01)

CPC (source: CN EP US)

H01L 21/02274 (2013.01 - US); H01L 21/02546 (2013.01 - US); H01L 21/2654 (2013.01 - EP US); H01L 21/266 (2013.01 - US); H01L 21/30612 (2013.01 - US); H01L 21/763 (2013.01 - EP); H01L 21/78 (2013.01 - CN EP); H01L 21/784 (2013.01 - US); H01L 23/3171 (2013.01 - EP US); H01L 29/0684 (2013.01 - CN); H01L 29/20 (2013.01 - US); H01L 29/401 (2013.01 - US); H01L 29/452 (2013.01 - US); H01L 21/02164 (2013.01 - US); H01L 21/0217 (2013.01 - US); H01L 23/291 (2013.01 - US); H01L 29/66204 (2013.01 - US); H01L 29/66333 (2013.01 - US); H01L 29/7395 (2013.01 - US); H01L 29/861 (2013.01 - US)

Citation (search report)

• [I] US 2008032488 A1 20080207 - CHU JIUNN-YI [TW], et al
• [A] US 2005130390 A1 20050616 - ANDREWS PETER [US], et al
• [A] D'AVANZO D C: "PROTON ISOLATION FOR GAAS INTEGRATED CIRCUITS", IEEE TRANSACTIONS ON MICROWAVE THEORY AND TECHNIQUES, PLENUM, USA, vol. MTT-30, no. 7, 1 July 1982 (1982-07-01), pages 955 - 963, XP000835537, ISSN: 0018-9480, DOI: 10.1109/TMTT.1982.1131183

Designated contracting state (EPC)

AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

Designated extension state (EPC)

BA ME

DOCDB simple family (publication)

EP 3570319 A1 20191120; EP 3570319 B1 20240612; CN 110504214 A 20191126; CN 110504214 B 20230725; DE 102018003982 A1 20191121; JP 2019201209 A 20191121; JP 6854537 B2 20210407; US 10825734 B2 20201103; US 2019355622 A1 20191121

DOCDB simple family (application)

EP 19000216 A 20190506; CN 201910410709 A 20190517; DE 102018003982 A 20180517; JP 2019092630 A 20190516; US 201916414818 A 20190517