Global Patent Index - EP 3666524 A1

EP 3666524 A1 20200617 - METHOD FOR SILK-SCREEN PRINTING ON AN ELECTRIC AND/OR ELECTRONIC COMPONENT WITH TWO SCRAPING SYSTEMS

Title (en)

METHOD FOR SILK-SCREEN PRINTING ON AN ELECTRIC AND/OR ELECTRONIC COMPONENT WITH TWO SCRAPING SYSTEMS

Title (de)

SIEBDRUCKVERFAHREN AUF EIN ELEKTRISCHES UND/ODER ELEKTRONISCHES BAUTEIL MIT ZWEI ABSTREICHSYSTEMEN

Title (fr)

PROCEDE D'IMPRESSION PAR SERIGRAPHIE SUR UN COMPOSANT ELECTRIQUE ET/OU ELECTRONIQUE AVEC DEUX SYSTEMES DE RACLAGE

Publication

EP 3666524 A1 20200617 (FR)

Application

EP 19209499 A 20191115

Priority

FR 1872921 A 20181214

Abstract (fr)

L'objet principal de l'invention est un procédé d'impression par sérigraphie sur au moins un composant électrique et/ou électronique (4) d'un nombre de motifs (M1, M2) supérieur ou égal à deux, comprenant chacun des lignes imprimées (8) s'étendant selon une même direction (D1, D2), les lignes imprimées (8) de deux motifs (M1, M2) de type demi-cellule, juxtaposés l'un à l'autre s'étendant respectivement dans des première (D1) et deuxième (D2) directions sensiblement perpendiculaires entre elles, le procédé comprenant l'utilisation d'un écran de sérigraphie (10) pour former les motifs (M1, M2) sur ledit au moins un composant électrique et/ou électronique (4), caractérisé en ce que le procédé comporte en outre l'utilisation d'au moins un premier système de raclage (13a) et un deuxième système de raclage (13b) indépendants, configurés respectivement pour permettre le raclage selon la première direction (D1) et selon la deuxième direction (D2) pour obtenir un raclage bidirectionnel pour l'impression des motifs (M1, M2).

IPC 8 full level

B41F 15/08 (2006.01); B41F 15/36 (2006.01); B41M 1/12 (2006.01); H01L 31/0224 (2006.01); H01L 31/042 (2014.01); H01L 31/05 (2014.01); H01L 31/18 (2006.01); H05K 3/12 (2006.01)

CPC (source: EP)

B41F 15/08 (2013.01); B41F 15/0881 (2013.01); B41F 15/36 (2013.01); B41M 1/12 (2013.01); H01L 31/022425 (2013.01); H01L 31/022433 (2013.01); H01L 31/18 (2013.01); H05K 3/1233 (2013.01); B41M 1/26 (2013.01); H05K 2203/0139 (2013.01)

Citation (applicant)

  • US 5493969 A 19960227 - TAKAHASHI KEN [JP], et al
  • A. EBONG ET AL.: "Metallization of crystalline silicon solar cells : A review", HIGH CAPACITY OPTICAL NETWORKS AND ENABLING TECHNOLOGIES (HONET), 2012, 9TH INTERNATIONAL CONFÉRENCE ON, pages 102 - 109
  • CABALLERO, L.J.: "Solar Energy", February 2010, INTECH, article "Contact Définition in Industrial Silicon Solar Cells"

Citation (search report)

Designated contracting state (EPC)

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Designated extension state (EPC)

BA ME

DOCDB simple family (publication)

EP 3666524 A1 20200617; EP 3666524 B1 20210421; FR 3089861 A1 20200619; FR 3089861 B1 20210108

DOCDB simple family (application)

EP 19209499 A 20191115; FR 1872921 A 20181214