Global Patent Index - EP 3734668 A1

EP 3734668 A1 20201104 - STACKED HIGH BARRIER INGAAS SEMICONDUCTOR POWER DIODE

Title (en)

STACKED HIGH BARRIER INGAAS SEMICONDUCTOR POWER DIODE

Title (de)

STAPELFÖRMIGE HOCHSPERRENDE INGAAS-HALBLEITERLEISTUNGSDIODE

Title (fr)

DIODE EMPILÉE DE PUISSANCE À SEMI-CONDUCTEUR EN INGAAS À BLOCAGE HAUT

Publication

EP 3734668 A1 20201104 (DE)

Application

EP 20000162 A 20200420

Priority

DE 102019003068 A 20190430

Abstract (en)

[origin: CN111863971A] A stacked high barrier InGaAs semiconductor power diode having a first metallic terminal contact layer, formed at least in regions, and a highly doped semiconductor contact region of a first conductivity type and a first lattice constant. A drift layer of a second conductivity type and having a first lattice constant is furthermore provided. A semiconductor contact layer of a second conductivity,which includes an upper side and an underside, and a second metallic terminal contact layer are formed, and the second metallic terminal contact layer being integrally connected to the underside of the semiconductor contact layer, and the semiconductor contact layer having a second lattice constant at least on the underside, and the second lattice constant being the lattice constant of InP, and the drift layer and the highly doped semiconductor contact region each comprising an InGaAs compound or being made up of InGaAs.

Abstract (de)

Eine stapelförmige hochsperrende III-V-Halbleiterleistungsdiode, aufweisend eine zumindest gebietsweise ausgebildete erste metallische Anschlusskontaktschicht und einen hochdotierten Halbleiterkontaktbereich eines ersten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Gitterkonstante. Des Weiteren ist eine Driftschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer ersten Gitterkonstante vorgesehen. Auch ist eine Halbleiterkontaktschicht eines zweiten Leitfähigkeitstyps mit einer Oberseite und einer Unterseite und eine zweite metallische Anschlusskontaktschicht ausgebildet, wobei die vorgenannten Bereiche und Schichten in der genannten Reihenfolge angeordnet sind, und die zweite metallische Anschlusskontaktschicht stoffschlüssig mit der Unterseite der Halbleiterkontaktschicht verbunden ist, und die Halbleiterkontaktschicht zumindest an der Unterseite eine zweite Gitterkonstante aufweist und die zweite Gitterkonstante die Gitterkonstante von InP ist, und die Driftschicht und der hochdotierten Halbleiterkontaktbereich jeweils aus einer InGaAs Verbindung umfassen oder aus InGaAs bestehen.

IPC 8 full level

H01L 29/861 (2006.01); H01L 29/04 (2006.01); H01L 29/205 (2006.01)

CPC (source: CN EP US)

H01L 29/04 (2013.01 - EP); H01L 29/0619 (2013.01 - US); H01L 29/1095 (2013.01 - US); H01L 29/157 (2013.01 - US); H01L 29/201 (2013.01 - CN US); H01L 29/205 (2013.01 - EP); H01L 29/861 (2013.01 - CN EP US); H01L 29/8611 (2013.01 - EP)

Citation (applicant)

Citation (search report)

  • [IA] US 4471367 A 19840911 - CHEN CHUNG Y [US], et al
  • [IA] WINDHORN T H ET AL: "The Electron Velocity-Field Characteristic for n-In0.53 Ga0.47 As at 300K", IEEE ELECTRON DEVICE LETTERS,, vol. EDL-3, no. 1, 1 January 1982 (1982-01-01), pages 18 - 20, XP001281070, ISSN: 0193-8576
  • [A] LIAN JI ET AL: "Compositionally undulating step-graded InAsyP1-y buffer layer growth by metal-organic chemical vapor deposition", JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, vol. 363, 1 January 2013 (2013-01-01), pages 44 - 48, XP055116886, ISSN: 0022-0248, DOI: 10.1016/j.jcrysgro.2012.09.035
  • [A] JUNG DAEHWAN ET AL: "Design and growth of multi-functional InAsP metamorphic buffers for mid-infrared quantum well lasers on InP", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, US, vol. 125, no. 8, 25 January 2019 (2019-01-25), XP012234994, ISSN: 0021-8979, [retrieved on 20190125], DOI: 10.1063/1.5054574

Designated contracting state (EPC)

AL AT BE BG CH CY CZ DE DK EE ES FI FR GB GR HR HU IE IS IT LI LT LU LV MC MK MT NL NO PL PT RO RS SE SI SK SM TR

Designated extension state (EPC)

BA ME

DOCDB simple family (publication)

EP 3734668 A1 20201104; CN 111863971 A 20201030; CN 111863971 B 20231031; DE 102019003068 A1 20201105; US 11257909 B2 20220222; US 11699722 B2 20230711; US 2020350407 A1 20201105; US 2022140088 A1 20220505

DOCDB simple family (application)

EP 20000162 A 20200420; CN 202010353872 A 20200429; DE 102019003068 A 20190430; US 202016863483 A 20200430; US 202217579122 A 20220119